ASM集成第一个原子工程单金属栅堆栈 简化高k/金属栅工艺
ASM International N.V子公司ASM America日前宣布推出一个新的原子层沉积 (ALD) 制程,通过氧化镧 (LaOx)及氧化铝 (AlOx) 高k盖帽层( High K Cap layers), 使32纳米节点高k金属栅堆栈可使用单一的金属，而不同于之前CMOS所需要的两种金属。高k电介质结合金属栅能实现更快和更小的芯片,适合高性能服务器和低功耗要求的先进产品，如笔记本计算机、PDA和智能手机等。
ASM这项尚在批准的氧化镧及氧化铝盖帽制程专利，能够应对32纳米及其以下节点几何结构的挑战。如果没有这些盖层, 需要采用两种不同的金属，在晶体管开关的P结和N结产生适当的电学特性。通过在基于铪(Hafnium)的栅介质和金属栅间引入超薄的盖帽层膜（cap film）, 原子层的电荷将会影响介质和金属间的相互作用。在小于1纳米的范围内（相当于几个原子层厚度），藉由改变cap film的厚度，可获得合适的金属薄膜性能。要达到这样的超薄膜所需的工艺控制能力，要求最先进的ALD技术，这也是ASM Pulsar®工艺模块所能提供的。多个Pulsar模块可以整合成单一的Polygon®平台，以在密闭环境中连续沉积铪基薄膜和盖帽层，并控制膜间界面层。
“对我们大部分的客户来说，解决高k与金属栅集成的挑战是最优先的考虑” ASM晶体管产品部产品经理Glen Wilk说。“新制程极大地简化了高k与金属栅集成工艺，并使我们能够支持先栅极(Gate First)以及后栅极(Gate last)工艺流程。ASM目前可以提供针对高k电介质、盖帽层及金属栅的 ALD制程。新制程目前正在几个关键客户处进行试制，同时可在ASM应用实验室里进行演示，并且在世界范围内已有超过50台的Pulsar模块用于ALD高k工艺量产。”
ASM这项尚在批准的氧化镧及氧化铝盖帽制程专利，能够应对32纳米及其以下节点几何结构的挑战。如果没有这些盖层, 需要采用两种不同的金属，在晶体管开关的P结和N结产生适当的电学特性。通过在基于铪(Hafnium)的栅介质和金属栅间引入超薄的盖帽层膜（cap film）, 原子层的电荷将会影响介质和金属间的相互作用。在小于1纳米的范围内（相当于几个原子层厚度），藉由改变cap film的厚度，可获得合适的金属薄膜性能。要达到这样的超薄膜所需的工艺控制能力，要求最先进的ALD技术，这也是ASM Pulsar®工艺模块所能提供的。多个Pulsar模块可以整合成单一的Polygon®平台，以在密闭环境中连续沉积铪基薄膜和盖帽层，并控制膜间界面层。
“对我们大部分的客户来说，解决高k与金属栅集成的挑战是最优先的考虑” ASM晶体管产品部产品经理Glen Wilk说。“新制程极大地简化了高k与金属栅集成工艺，并使我们能够支持先栅极(Gate First)以及后栅极(Gate last)工艺流程。ASM目前可以提供针对高k电介质、盖帽层及金属栅的 ALD制程。新制程目前正在几个关键客户处进行试制，同时可在ASM应用实验室里进行演示，并且在世界范围内已有超过50台的Pulsar模块用于ALD高k工艺量产。”