FSI单晶圆清洗技术应用于32nm后段清洗工艺开发

FSI单晶圆清洗技术应用于32nm后段清洗工艺开发

    　　集成电路生产晶圆清洗系统制造商FSI国际有限公司近日宣布一家重要的半导体制造商在32nm集成电路制造的后段(BEOL)清洗能力开发中选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过一系列优中选优的过程，最终认定FSI的技术最符合32nm器件制造所预期各项新要求。FSI已经针对这一开发项目发运评估性ORION单晶圆清洗集群。
    
    　　IC制造商正在寻求的用于32nm器件的低介电系数(low-k)材料和金属薄膜叠层，对于湿法清洗比前几代BEOL工艺敏感得多。FSI与众不同的单晶圆技术展示了高效去除刻蚀和灰化副产品的能力，同时不改变电介质、不改变刻蚀金属膜厚度以及避免电偶腐蚀。
    
    　　FSI董事长兼首席执行官Don Mitchell这样说道。“我们在单晶圆清洗技术的开发上是经过深思熟虑的，即专注于将我们的经验和专长转变为满足行业进步需求的机台设备。我们拥有在浸泡式、喷雾式和汽雾表面处理的批量和单晶圆平台方面数十年的经验和历史，在很大程度上凭借这一资源，我们源自那些已经成功产品的单晶圆清洗技术实现了诸多核心技术，同时选择性创新还可应对来自32nm工艺的各项挑战。