爱发科开发出支持300mm晶圆的碳纳米管成膜装置
爱发科开发出了支持300mm晶圆的碳纳米管（CNT）成膜用等离子体CVD装置。将于2009年度投产配备有晶圆搬运装置的量产设备。
该公司此前已投产了支持50mm晶圆和200mm晶圆的CNT成膜用等离子体CVD装置。而近来“希望从工艺开发阶段开始就使用300mm支持装置的要求越来越强烈”（爱发科筑波超材料研究所所长村上裕彦），为满足这一需求而开发了该新装置。
可均匀产生等离子体
此次爱发科通过改进被称为“Remote Plasma法”的等离子体CVD法，使CNT可以在整个300mm晶圆表面均匀成膜。具体方法是：通过改变结构，使微波不仅从CNT成膜室正上方，还从周边部分导入，从而实现了在成膜室内均匀产生等离子体。另外，还改进了原料气体的导入方法以及去除等离子体中离子成分的网格的配置等。
利用此次的方法，CNT的成膜温度为350～380℃，成长速度为50nm/分。
用来形成多层布线的通孔
近来，在CNT的LSI用途方面，对最近可望实用化期望较高的是作为连接多层布线的通孔应用。CNT通孔与目前的Cu通孔相比，不仅可以降低电阻值，而且还能够提高对电迁移（EM）的耐受能力。爱发科计划作为装置厂商参与了日本半导体尖端技术（Selete）推进的半导体MIRAI项目——CNT通孔实用化项目。
CNT具有应用于通孔所需要的金属性质，可以通过控制催化剂Co和Ni的粒子径来获得。不过，虽然目前已经证实CNT通孔在EM耐性上具有优势，但是“尚未显示出低于Cu通孔的电阻值”（村上）。为降低CNT通孔的电阻值，需要使CNT在几十纳米径的微细通孔中高密度成膜。而目前面临的课题是使催化剂在活性状态下均匀分布在通孔底部的整个表面。
该公司此前已投产了支持50mm晶圆和200mm晶圆的CNT成膜用等离子体CVD装置。而近来“希望从工艺开发阶段开始就使用300mm支持装置的要求越来越强烈”（爱发科筑波超材料研究所所长村上裕彦），为满足这一需求而开发了该新装置。
可均匀产生等离子体
此次爱发科通过改进被称为“Remote Plasma法”的等离子体CVD法，使CNT可以在整个300mm晶圆表面均匀成膜。具体方法是：通过改变结构，使微波不仅从CNT成膜室正上方，还从周边部分导入，从而实现了在成膜室内均匀产生等离子体。另外，还改进了原料气体的导入方法以及去除等离子体中离子成分的网格的配置等。
利用此次的方法，CNT的成膜温度为350～380℃，成长速度为50nm/分。
用来形成多层布线的通孔
近来，在CNT的LSI用途方面，对最近可望实用化期望较高的是作为连接多层布线的通孔应用。CNT通孔与目前的Cu通孔相比，不仅可以降低电阻值，而且还能够提高对电迁移（EM）的耐受能力。爱发科计划作为装置厂商参与了日本半导体尖端技术（Selete）推进的半导体MIRAI项目——CNT通孔实用化项目。
CNT具有应用于通孔所需要的金属性质，可以通过控制催化剂Co和Ni的粒子径来获得。不过，虽然目前已经证实CNT通孔在EM耐性上具有优势，但是“尚未显示出低于Cu通孔的电阻值”（村上）。为降低CNT通孔的电阻值，需要使CNT在几十纳米径的微细通孔中高密度成膜。而目前面临的课题是使催化剂在活性状态下均匀分布在通孔底部的整个表面。