双极晶体管

双极晶体管

     虽然二极管是很有用的器件，但它不能放大信号，几乎所有的电路都以某种方式要求放大信号。一种能放大信号的器件就是双极型晶体管（BJT）。 双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器件，栅极（G）基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的电流，所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。而在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大，可以得到比场效应管高的电压放大倍数。
    
     双极晶体管的改进技术。设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求，对于便携式电池供电设备（如笔记本电脑、数码相机）及汽车中的负载切换和电源系统，此类新器件是首选的解决方案。
    
     集电极功耗PC=VCEsat×IC是双极晶体管损耗的重要来源。由于集电极电流IC是由应用预先确定的，因此，器件生产商要想降低晶体管损耗惟一的选择是降低集电极-发射极饱和电压VCEsat。低VCEsat晶体管的出现主要归功于网状结构发射极技术的应用。网状结构发射极（mesh-emitter）设计将发射极区域扩展到更大面积的区域，同时使其以网状结构与基极接触，因此可降低发射极串联电阻。这样做的结果是基极驱动更为平均，从而可更有效地利用裸片上的发射极有源区域，并进而大大降低集电极-发射极饱和电压。