NAND Flash压力锅释压

     国际NAND Flash大厂面对严重亏损，近期纷展开释放压力动作，避免压力锅爆炸，包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)纷祭出对策挽救市场，其中，三星再度受惠苹果(Apple)为新产品备货，增加NAND Flash采购，使得10月合约价止跌上扬，且近期传出三星会让生产NAND Flash、成本不佳的8寸晶圆厂逐渐退役；海力士在减产后，目前NAND Flash产能比重降至20~30％，10月起明显减少现货市场供货；至于美光亦宣布减产，并全球裁员15％，凸显3大NAND Flash厂面对亏损的忍受度已达到极限。
    
     2008年DRAM和NAND Flash都面临严重跌价压力，其中，NAND Flash压力更甚于DRAM，主要是因为目前多数DRAM都是在最先进12寸晶圆厂生产，然许多NAND Flash芯片却还是停留在8寸晶圆厂生产，因此，NAND Flash成本相较DRAM高出很多。美光执行长Steve Appleton便表示，由于NAND Flash供过于求情况太严重，即使NAND Flash价格回升，公司营运也很难转亏为盈。此话道破NAND Flash市场压力，并让美光无奈地选择减产，减少在爱达荷州(Idaho)Boise厂产能，并宣布在2年内裁员15％。
    
     在海力士和美光相继步入减产一途后，市场目光焦点放在一哥三星和二哥东芝(Toshiba)身上，是否会跟进减产NAND Flash脚步。下游业者透露，三星和东芝虽然在2008年底都陆续导入40奈米和43奈米制程，成本可望进一步降低，但近期亦传出三星打算让生产NAND Flash的8寸晶圆厂逐渐退役，藉此让成本不佳的厂房停工，加上部分8寸厂无法导入50奈米制程，无法进行制程微缩，被淘汰是迟早的命运。
    
     下游业者表示，海力士分别于2008年4月淘汰8寸晶圆厂，以及8月宣布减产NAND Flash芯片约30％，全力巩固DRAM市场2哥地位，现在NAND Flash产能比重约只剩下20~30％，其余都是DRAM芯片和利基型、逻辑产品，因此，海力士自10月起在NAND Flash现货市场供货量，已明显减少。由于海力士采取保DRAM、弃NAND Flash策略，并已逐渐反映在产能上，目前海力士在NAND Flash市场等于是暂时性半休息。
    
     由于东芝几乎不供应现货市场，加上美光减产及英特尔产能还不大，因此，现在能够左右NAND Flash市场全局者，只剩下三星。下游厂透露，10月NAND Flash合约价在4Gb和8Gb容量产品上，意外地出现止跌反弹情况，主要是大客户苹果为替新产品备货，增加NAND Flash采用量，而主要受惠者就是三星，这亦使得释放到现货市场货源减少许多，让合约价止跌，而现货价也开始反弹。
    
     存储器业者认为，NAND Flash大厂这些举动或许可以稳住10月价格，但现在仍不具有大幅反弹的环境条件，加上11及12月将步入传统淡季，苹果的拉货动作能持续多久，要视新产品销售状况好不好，但现在全球经济环境严苛，因此，国际大厂这些动作影响可能很有限。
    图说：海力士和美光相继减产NAND Flash后，三星电子挽救市场动作成为关键，近期三星再度受惠苹果(Apple)增加NAND Flash采购，加上传出其可能让部分8寸厂逐渐退役，这将让NAND Flash厂亏损压力大减，然欲大幅扭转颓势恐仍不易。