Vishay新型20V通道器件，具有业界最低导通电阻
日前，Vishay Intertechnology推出一款新型 20V n 通道器件---SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。该器件采用PowerPAK SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
SiR440DP 在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.0mΩ，在 10V 栅极驱动时最大导通电阻为 1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET 的关键优值 (FOM)，在 4.5V 时为 87。
与为实现低传导损耗及低切换损耗而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格表示在 4.5V 及 10V 时导通电阻分别降低 23% 与 22.5%，FOM 降低 27%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。
Vishay Siliconix SiR440DP 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中用作低端 MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay还推出了新型 20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。这些器件在 4.5V 时分别提供 2.5mΩ 与 4mΩ 的导通电阻，在 10V 时为 1.9mΩ 及 2.9mΩ，典型栅极电荷为 35.3nC 及 20nC。所有这三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封装。这些器件无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS 标准，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR440DP、SiR866DP 和 SiR890DP可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。
SiR440DP 在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.0mΩ，在 10V 栅极驱动时最大导通电阻为 1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET 的关键优值 (FOM)，在 4.5V 时为 87。
与为实现低传导损耗及低切换损耗而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格表示在 4.5V 及 10V 时导通电阻分别降低 23% 与 22.5%，FOM 降低 27%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。
Vishay Siliconix SiR440DP 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中用作低端 MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay还推出了新型 20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。这些器件在 4.5V 时分别提供 2.5mΩ 与 4mΩ 的导通电阻，在 10V 时为 1.9mΩ 及 2.9mΩ，典型栅极电荷为 35.3nC 及 20nC。所有这三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封装。这些器件无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS 标准，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR440DP、SiR866DP 和 SiR890DP可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。