联华电子推进高介电系数闸电介质/金属闸极制程解决方案
来源: 作者: 时间:2008-11-27 17:28
高介电系数闸电介质/金属闸极制程技术已经通过SRAM产品良率的验证,将使用在次世代32/28纳米制程中
联华电子25日宣布,其高介电系数闸电介质 (high-k gate dielectric)/金属闸极 (metal gate) 之先进闸极技术,已经通过45纳米SRAM产品良率的验证,此为HK/MG技术的重要里程碑。此项成果在展现HK/MG的技术效能与制程可靠性上,是关键的第一步,而此技术将使用在次世代32/28纳米制程中。
“在将HK/MG技术推往32/28纳米制程试产上,联华电子一直维持稳定的进展,使我们的客户得以受惠于此项制程的效能表现。”联华电子先进技术开发处副总简山杰表示,“尽管全球经济的不确定性仍高,联华电子在先进技术的研发依然持续前进。随着最近我们在28纳米SRAM工作晶片与HK/MG制程实体验证上的成功,在2010年联华电子的32/28纳米制程推出时,我们已经做好准备,可以提供客户一个坚实的技术平台解决方案。”
2008年10月联华电子以其低漏电(LL)制程为基础,采用先进的双重曝影(double-patterning)浸润式微影术与应变硅工程,产出业界第一个28纳米SRAM晶片。联华电子针对不同的市场应用产品,在32/28纳米制程上使用两种闸极技术。联华电子针对低漏电制程采用传统硅闸极 /氮氧化硅闸极氧化层技术,对于可携式应用产品例如手机晶片来说是非常理想的选择。而HK/MG之先进闸极技术则是针对着重速度的产品例如绘图、应用处理器与高速通讯晶片等。HK/MG技术同时可针对32/28纳米低功率应用产品进行客制化,以满足个别客户的需求。