2009将成3-bit/cellMLCNANDFlash推广年

2009将成3-bit/cellMLCNANDFlash推广年

    　　虽然近期政府是否要救DRAM市场的议题不断发酵中，也引起各方人士热烈讨论与争辩，但DRAM颗粒的价格终究仍取决于市场的需求，随着全球整体经济环境的恶化与欧美圣诞假期的需求急冻，现货市场方面，DDR2颗粒价格更频创历史新低价，上周(11/18-11/24)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.87美元下滑至0.81美元，跌幅达6.9%，从第四季开始仅仅二个月间跌幅高达33.6%，DDR2 667Mhz 1Gb颗粒价格也不遑多让，价格从0.86美元下滑至0.77美元，跌幅约10.5%，截至目前为止的第四季跌幅更高达36.8%。以往在现货市场中原厂颗粒因为经过严谨测试的关系，原厂颗粒价格大都高于eTT颗粒价格，但现今原厂颗粒价格皆低于eTT颗粒价格，显见DRAM原厂的库存压力极大与市场供过于求的情形仍未有效纾解。
    
    　　而在合约市场方面，十一月下旬的合约价正式跌破10美元信心关卡，DDR2 667Mhz 1Gb与2GB的模块平均价约落在9.5美元与20美元左右，跌幅将近10%，截至目前第四季的跌幅分别为30%与26%，也创下了合约市场有史以来的新低价，11月开始PC市场开始步入传统淡季，加上整体市场需求锐减，合约价不排除继续探底，但下跌空间有限。但值得注意的是，随着上网本(Netbook)的出货量节节攀升，甚至2009年华硕与宏碁将有五成与三成笔记本电脑出货皆为上网本的情形下，将会抑制住整体平均内存模块容量的上升，无异于让合约市场更雪上加霜，加上整体大环境不佳，将会延缓合约市场价格的复苏之路。
    
    　　DRAM市场的急剧恶化与严重供过于求，造成DRAM厂的营收下滑与现金不断流出，无论是私募、技术母厂相挺或是政府出手相救，核心竞争力还是DRAM厂的能够生存与否的自救之道，台系DRAM厂纵使无如三星、美光、尔必达等的DRAM核心技术，但台系DRAM厂的大量生产与严密控制成本的能力也是DRAM技术母厂降低成本及扩大市场占有率的最佳战友，如同尔必达与力晶的紧密合作、南科与华亚和美光的技术结盟，皆是看中台系DRAM厂的制造能力，未来DRAM市场将如同三国时代一般形成三强鼎立的局势，由美、日、韩三国主导整个DRAM市场，台系DRAM厂与技术母厂的合作将更为紧密，由技术母厂负责研发并由台系厂制造生产的合作模式进行，与技术母厂唇齿相依、祸福与共，台系DRAM厂绝对是关键性的角色，帮助技术母厂攻城略地。
    

    　　2009将成3-bit/cell MLC NAND Flash推广年；11月下旬NAND Flash合约价开平盘
    
    　　目前NAND Flash厂商在进行芯片成本下降的技术研发主要有两个方向：一是将制程技术持续微缩，二是采用单位记忆储存胞的多位化(multi-bit per cell)的设计，过去NAND Flash厂商主要多以制程技术的微缩来进行成本的竞争，过去几年NAND Flash业者是以约每年一个世代的超摩尔定律速度在推进制程技术，因此目前已从90nm→6xnm→5xnm→4xnm发展到准备进入3xnm制程技术的阶段。
    
    　　2008年随着Toshiba/SanDisk阵营在2Q08量产56nm 3-bit/cell MLC NAND Flash后，NAND Flash厂商也开始朝3-bit/cell MLC的设计方向开发，一般而言以相同制程技术来设计3-bit/cell MLC的单位芯片面积，约可比2-bit/cell MLC的面积再缩小约20-30%以上，因此理论上讲相同记忆容量的3-bit/cell MLC单位芯片生产成本将会比2-bit/cell MLC低，不过由于3-bit/cell MLC的设计复杂度比2-bit/cell MLC高，因此3-bit/cell MLC在生产的良率及芯片性能(performance)及可靠度(reliability)的参数指标都会比2-bit/cell MLC来得较逊色。
    
    　　目前SanDisk是最积极推广3-bit/cell MLC NAND Flash产品的厂商，Toshiba/SanDisk阵营继领先推出56nm 3-bit/cell 16Gb MLC后，也计划于1Q09量产43nm 3-bit/cell MLC的产品，然后于1Q10量产3xnm 3-bit/cell MLC，预期2009年SanDisk也将会持续扮演3-bit/cell MLC市场推广的推手，其它NAND Flash厂商，虽未有具体的生产时间表，但也都表示将会在2009年中推出各自的3-bit/cell MLC产品，例如：Samsung计划1H09将生产42nm 3-bit/cell MLC，Intel计划2009年年中将生产34nm 3-bit/cell MLC，及Hynix计划2009年年中将生产41nm 3-bit/cell MLC。
    
    　　由于3-bit/cell MLC的写入速度及耐久性(endurance)将会随着制程技术的微缩而下降，但是单位芯片生产成本会比相同制程及容量的2-bit/cell MLC低，因此Toshiba/SanDisk阵营初期是把56nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，先用在性能及可靠性要求较不高的UFD及记忆卡低价市场应用上来试水温，该阵营未来也会随着市场的接受度来调整其3-bit/cell MLC的产出比重，目前各NAND Flash厂商也正在开发不同的技术改善方案，想将其3-bit/cell MLC的写入速度及耐久性提高，希望未来也能应用到性能及可靠性要求较高的PC的储存应用领域如：low-cost PCs、SSD的领域，由于目前多数NAND Flash厂商的4xnm & 3xnm 3-bit/cell MLC产品仍处在开发及改良期，所以相关的产品参数仍在调整中，在考虑3-bit/cell MLC产品的良率及性能调整时间以及Flash controller的支持配合进度，我们预期到2H09时3-bit/cell MLC在记忆卡及UFD的低价市场应用才会更普及，预期2010年随着3-bit/cell MLC的性能及耐久性持续改善后，则可望获得消费性电子、手机及PC的低价市场采用。
    
    　　11月下旬NAND Flash合约价简评
    
    　　11月下旬NAND Flash合约价大致呈现持平，主因为11月初供货商已经先行采取降价策略，来配合下游客户的年终促销行动，因此下旬价格与上旬价格相若，由于客户对今年年终销售情况抱持较保守的心态，所以对年节的备货量也实行比较谨慎的控制态度，未来的采购量也会视年终销售情况再来做调整，由于NAND Flash价格累计跌幅已大，且下游客户库存水位也降低了，我们预期短期内NAND Flash合约价将呈现持平或缓跌的状况。