SanDisk:未来10年闪存发展到尽头 3D内存成接班人

SanDisk:未来10年闪存发展到尽头 3D内存成接班人

     SanDisk认为，未来10年闪存将发展到尽头，3D内存技术将成为闪存的接班人。
    
     SanDisk上周表示，由于闪存具有局限性，它的发展未来将走到尽头，SanDisk希望3D读写内存能够成为替代产品，这种技术是由SanDisk2005年收购的Matrix半导体公司开发。
    
     3D内存芯片将内存阵列从横向排列改为纵向排列，从而能够垂直存储更多数据。
    
     SanDisk总裁兼首席运营官Sanjay Mehrotra上周表示：“SanDisk正在开发3D读写内存，我们认为这种产品在未来10年将代替NAND闪存。”
    
     SanDisk已经宣布和东芝合作开发3D内存。
    
     SanDisk主席兼首席执行官Eli Harari说，自从收购了Matrix后，他们在3D内存开发方面取得了不小的进步，目前，围绕这种技术，SanDisk已经取得了200多项专利。
    
     不过SanDisk发言人Michael Wong 说，3D内存取代闪存还有很长一段路要走。