新日本无线推出宽带低噪声放大器NJG1129MD7，适用于1SEG信号用调谐器
新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。
近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端接收信号灵敏度不足，故具有高增益／高线性／低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求，开发了NJG1134HA8（08年3月27日发表）。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度，所开发了 1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。
该产品是可支持470～770MHz宽频带的LNA，采用W-CDMA用LNA的设计技术，增益可达到15dB typ.（@ f=470～770MHz）（而NJG1134HA8:10dB typ.(@ f=470～770MHz)）
并且该产品用GaAs HEMT程序，实现了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)和低噪声(NF=1.4dB typ.)。
另外，为防止离广播电台较近地区等强磁场输入时所导致的放大器失真，设有不经过内置LNA的旁通模式（Low gain模式），实现了低失真(P-1dB(IN)=+12.0dBm IP3=+20.0dBm typ.)
配备高增益和旁通模式，可以稳定地接受信号的NJG1129MD7是最适用于手机和车载等配有1SEG调谐器模块机器。
NJG1129MD7具以下特性，最适于内置1SEG接收器的小型便携式终端。
1． 通过旁通性能，在强磁场下也能接受稳定信号。
2． 具有低噪声（NF=1.4dBtyp.）特性，有助于提高接受信号的灵敏度。
3． 用GaAs HEMT程序，达到了高线性（P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.）
4． 内置ESD保护元件，对ESD具有高耐压特性。
产品性能及特点概要
宽带: 470～770MHz
工作电压: 2.8V typ.
小型封装: EQFN14-D7（Package size:1.6mm×1.6mm×0.397mm typ.）
内置ESD保护元件
【High gain模式】
低消耗电流: 5.0mA typ.
低切换电流: 5μA typ.
增益: 15dB typ.@ f=470～770MHz
低噪声: 1.4dB typ.@ f=470～770MHz
高输入P-1dB(IN): -6.0dBm typ.@ f=470～770MHz
高输入IP3: +1.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-25dBm
【Low gain模式】
低消耗电流: 16μA typ.
增益: -4dB typ.@ f=470～770MHz
高输入P-1dB(IN): +12.0 dBm typ.@ f=470～770MHz
高输入IP3: +20.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-12dBm
生产计划/样品价格
新日本无线从2008年12月开始发放NJG1129MD7样品，预计从2009年1月投产后月产50万个。样品价格为100日元。
近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端接收信号灵敏度不足，故具有高增益／高线性／低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求，开发了NJG1134HA8（08年3月27日发表）。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度，所开发了 1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。
该产品是可支持470～770MHz宽频带的LNA，采用W-CDMA用LNA的设计技术，增益可达到15dB typ.（@ f=470～770MHz）（而NJG1134HA8:10dB typ.(@ f=470～770MHz)）
并且该产品用GaAs HEMT程序，实现了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)和低噪声(NF=1.4dB typ.)。
另外，为防止离广播电台较近地区等强磁场输入时所导致的放大器失真，设有不经过内置LNA的旁通模式（Low gain模式），实现了低失真(P-1dB(IN)=+12.0dBm IP3=+20.0dBm typ.)
配备高增益和旁通模式，可以稳定地接受信号的NJG1129MD7是最适用于手机和车载等配有1SEG调谐器模块机器。
NJG1129MD7具以下特性，最适于内置1SEG接收器的小型便携式终端。
1． 通过旁通性能，在强磁场下也能接受稳定信号。
2． 具有低噪声（NF=1.4dBtyp.）特性，有助于提高接受信号的灵敏度。
3． 用GaAs HEMT程序，达到了高线性（P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.）
4． 内置ESD保护元件，对ESD具有高耐压特性。
产品性能及特点概要
宽带: 470～770MHz
工作电压: 2.8V typ.
小型封装: EQFN14-D7（Package size:1.6mm×1.6mm×0.397mm typ.）
内置ESD保护元件
【High gain模式】
低消耗电流: 5.0mA typ.
低切换电流: 5μA typ.
增益: 15dB typ.@ f=470～770MHz
低噪声: 1.4dB typ.@ f=470～770MHz
高输入P-1dB(IN): -6.0dBm typ.@ f=470～770MHz
高输入IP3: +1.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-25dBm
【Low gain模式】
低消耗电流: 16μA typ.
增益: -4dB typ.@ f=470～770MHz
高输入P-1dB(IN): +12.0 dBm typ.@ f=470～770MHz
高输入IP3: +20.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-12dBm
生产计划/样品价格
新日本无线从2008年12月开始发放NJG1129MD7样品，预计从2009年1月投产后月产50万个。样品价格为100日元。