DRAM反弹 站回1美元

来源: 作者: 时间:2009-03-27 18:58

     继力晶(5346)董事长黄崇仁喊出「DRAM燕子来了」后,全球第二大内存芯片商南韩海力士(Hynix)昨(26)日也指出,「景气已触底,今年供给将大幅减少」,激励DRAM现货价展开反弹行情,昨天大涨逾12%,重回1美元大关,创2月中旬后新高。
    
     内存相关业者已开始为未来市场需求预作准备。台湾创见(2451)规划在内湖租土地兴建厂办,预计新厂约资本支出20亿元,将设立20条线,与目前的大陆上海厂规模相同。创见认为,近期终端库存确实转强,价格推升效益值得期待。
    
     尔必达(Elpida)也在DRAM价格露出曙光后,昨天宣布将透过旗下两家100%持股子公司EBS及ECM,筹资458亿日圆。据了解,台湾力成(6239)与全球内存模块龙头金士顿(Kingston)都将参与,其中力成投资金额约50亿日圆。
    
     根据集邦科技(DRAMeXchange)昨天最新报价,现货价格全数大涨,指针规格1Gb DDRII有效测试颗粒(eTT)价为1.03美元、涨幅12.17%,三个交易日来涨幅超过两成;品牌颗粒报价涨幅也都超过13%。
    
     受惠价格回扬,全球DRAM族群昨天成为人气标的,海力士、尔必达都大涨;台湾芯片厂力晶、南科(2408)、华亚科(3474),模块厂威刚(3260)、创见;通路商至上(8112)、友尚(2403)等,都以涨停板收市。
    
     海力士执行长金锺甲认为,景气应该已在去年第四季触底,今年在业者大幅减产下,供应将「大幅减少」,有助提振市况。
    
     南科也预期,近期终端库存大致去化完毕,预期4月部分OEM大厂完成季底作帐后,自5、6月起,价格有机会以更大的幅度反弹。
    
    
    
    

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