内存触底 复苏路仍长
来源:联合新闻网 作者: 时间:2009-04-28 17:50
华尔街日报27日报导,随着南韩两大内存芯片制造商三星电子、海力士上季的芯片事业亏损缩小,内存芯片似乎已经触底,对深陷史上最严重不景气的半导体产业,是非常重要的利多讯号。
内存芯片价格最近开始显露正面迹象,近六周以来内存芯片的现货价暴涨。据最新的交易数据,1Gb DRAM(动态随机存取内存)的现货价27日报1.18美元,比3月11日的75美分大涨57%。
此外,生产微处理器的英特尔及数字芯片大厂德州仪器发布优于预期的财报,显示半导体产业可能快要到达触底反弹的转折点。
报导指出,市场研究业者iSuppli公司内存芯片分析师南贤金(音译)表示:「从第一季的情况来看,我不得不相信内存市场已经触底。内存产业现在开始进入复苏阶段,问题是,复苏之路将很漫长」。
全球半导体业产值达2,600亿美元,内存芯片只占14%,然而内存芯片用途广泛,堪称是半导体业的领先指标。内存市场从2007年初开始走下坡,预告半导体业2008年的衰退,而金融风暴使情况雪上加霜。
由于手机、数字音乐播放器等电子产品的NAND需求大增,内存产业在2002年到2007年间出现历来最长的荣景,业者在可观获利驱使下积极扩充产能。
可是新产能开出后,需求成长速度减缓,以致去年初起小型业者开始亏损,到年底连龙头三星也难逃亏损。
业者纷纷减产以因应需求下滑,但南贤金认为,供过于求的情形还是很严重。他说,产能占全球DRAM四分之一的台湾即使全面停产,市场供给依然过剩。
但业界主管仍保持谨慎态度,他们担心芯片价格上涨,会让制造商恢复闲置产能,使得供应快速增加,再度打压售价和获利。
分析师估计,业者今年在DRAM生产的资本支出只有40亿美元,远低于2008年的110亿美元和2007年的220亿美元。NAND方面的支出只有30亿美元,远不如2008年的80亿美元和2007年的110亿美元。
海力士主管表示,至少在6月前不会订购新设备。三星则表示,尚未决定今年的资本支出。该公司芯片事业副总曹南乘(音译)表示,尚未看到任何清楚的迹象显示需求回升。
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