DRAM供给缓增 价格硬挺
全球内存芯片龙头韩国三星昨（11）日表示，今年全球DRAM出货量年增率约仅10%至15%，远低于预期。投信法人认为，在市场供给成长有限下，伴随微软新操作系统Windows 7上市后带来的需求潮，将有助持续推升DRAM价格走势。
根据集邦科技（DRAMeXchange）最新报价，1Gb DDRII有效测试颗粒（eTT）价格昨天小涨0.29%，均价为1.34美元，持续改写去年第三季末以来新高，5月以来涨幅已近一成，已让力晶（5346）、瑞晶等大厂转为现金流入。
外电报导，三星在接受媒体访问时透露，今年全球DRAM出货量年增率仅10%至15%；NAND芯片年增率则在25%至30%。三星并预期，今年全球个人计算机（PC）出货量将年减5%左右，手机出货量则将年减6%至9%。
三星在去年第四季的法说会时曾预估，今年全球DRAM市场出货量年增率将达45%左右，如今大幅下修至10%至15%；业界认为，由于各大DRAM厂今年都缩小资本支出，新增加的产出，多半靠制程提升至50奈米所贡献，并无实质新增产能，在新机台所费不赀下，自然抑制产出量急缩。
而在微软Windows 7即将问世，配合新操作系统对多媒体等应用增加，所需的DRAM也将提升，将有助需求放大。以Windows 7的「XP模式」为例，建议搭载DRAM容量便达2GB，若要使操作更顺畅，更要达3GB以上的容量，在需求量可能增加、但供给量有限下，有助推升价格走势。
DRAM厂目前对后市普遍抱持正向看法。南科（2408）认为，DRAM价格可望在第二、三季逐步转好，有助本业营运状况，不过第四季目前「还无法预测」。南科今年产出年增率估计约37%，将视产业状况调整。
力晶日前公布季报时曾表示，近期DRAM现货价站稳1.2美元以上，已使力晶现金开始流入，因此上季在减产效应下，亏损缩减，若本季价格持续走扬，对其现金流出压力将大幅减轻。
根据集邦科技（DRAMeXchange）最新报价，1Gb DDRII有效测试颗粒（eTT）价格昨天小涨0.29%，均价为1.34美元，持续改写去年第三季末以来新高，5月以来涨幅已近一成，已让力晶（5346）、瑞晶等大厂转为现金流入。
外电报导，三星在接受媒体访问时透露，今年全球DRAM出货量年增率仅10%至15%；NAND芯片年增率则在25%至30%。三星并预期，今年全球个人计算机（PC）出货量将年减5%左右，手机出货量则将年减6%至9%。
三星在去年第四季的法说会时曾预估，今年全球DRAM市场出货量年增率将达45%左右，如今大幅下修至10%至15%；业界认为，由于各大DRAM厂今年都缩小资本支出，新增加的产出，多半靠制程提升至50奈米所贡献，并无实质新增产能，在新机台所费不赀下，自然抑制产出量急缩。
而在微软Windows 7即将问世，配合新操作系统对多媒体等应用增加，所需的DRAM也将提升，将有助需求放大。以Windows 7的「XP模式」为例，建议搭载DRAM容量便达2GB，若要使操作更顺畅，更要达3GB以上的容量，在需求量可能增加、但供给量有限下，有助推升价格走势。
DRAM厂目前对后市普遍抱持正向看法。南科（2408）认为，DRAM价格可望在第二、三季逐步转好，有助本业营运状况，不过第四季目前「还无法预测」。南科今年产出年增率估计约37%，将视产业状况调整。
力晶日前公布季报时曾表示，近期DRAM现货价站稳1.2美元以上，已使力晶现金开始流入，因此上季在减产效应下，亏损缩减，若本季价格持续走扬，对其现金流出压力将大幅减轻。