NAND Flash控制IC技术发展趋势

NAND Flash控制IC技术发展趋势

     NAND Flash因其先天物理限制，必须仰赖控制IC来支持其不足之处，透过对NAND Flash中的读写区块做最佳化配置，避免特定区块存取次数过度或将资料写进有问题的区块，以延长芯片使用寿命；并侦测与改正资料读写过程所产生的错误，以提高NAND Flash可靠度。
    
     另外，随著NAND Flash制程不断微缩，以及NAND Flash进入IT应用领域，对控制IC支持能力要求也日增。
    
     NAND Flash控制IC主要仍着重在强化故障区块管理(Bad Block Management；BBM)、错误侦测与修正(Error Detection/Checking and Correcting；ECC)以及平均抹写储存区块(Wear Leveling) 3大技术，而应用于IT领域，对此3大技术的要求远高于一般消费性电子产品应用。
    
     随著固态硬碟(Solid State Drive；SSD)应用的兴起，NAND Flash控制IC技术已以发展能支持SSD的高阶控制IC为显学，除积极提升前述3大技术的支持层级，另外也发展相关新技术如静态平均抹写(Static Wear Leveling)、虚拟模式调整(Virtual Mapping)与动态故障区块管理(Dynamic Bad Block Management)等。
    
     然控制IC对NAND Flash而言仍属支持角色，NAND Flash本身物理限制仍在，要彻底改善SSD稳定度与寿命，根本之道仍须发展更新式的快闪存储器技术。