韩国政府携手三星与海力士研发MRAM芯片

来源:中国半导体行业协会 作者:—— 时间:2009-12-01 07:00

三星 海力士

根据韩联社(Yonhap)报导,韩国政府宣布,已与半导体厂三星电子(SamsungElectronics)以及海力士(Hynix)共同合作,进行磁性随机存储器(SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory;MRAM)的研发专案,以维持韩国在半导体产业的领先地位。

  韩国知识经济部半导体与面板部门首长ParkTae-sung表示,一旦STT-MRAM研发完成,韩国于2015年将可掌握大约45%的30奈米制程存储器芯片市场,并预估该市场于2015年将有530亿美元的产值。Park也指出,此项共同研发专案将让韩国拥有基础技术,支持韩国在半导体产业续保世界级的竞争力。

  政府计划负担该合作专案一半的成本,为240亿韩元(约2,080万美元),另外一半将由三星与海力士共同出资。韩国政府表示,研发中心目前已安装12寸(300mm)磁性薄膜沈积系统(MagneticThinFilmDepositionSystem)以及其它芯片制造设备,优于日本竞争对手研发STT-MRAM时所使用的8寸(200mm)沈积系统,预期将让韩国在研发脚步上领先。

 

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