微捷码宣布推出SiliconSmart ACE 存储器特征化

微捷码宣布推出SiliconSmart ACE 存储器特征化

微捷码（Magma?）设计自动化有限公司（纳斯达克代码：LAVA）日前宣布，行业标准SiliconSmart IP特征化和建模产品线又添新成员SiliconSmart? ACE Memory Characterization（SiliconSmart? ACE存储器特征化）。通过嵌入微捷码超快FineSim? Pro仿真器和利用微捷码专有的存储器电路优化技术，SiliconSmart ACE Memory Characterization较竞争对手工具提供了更快速精确的存储器单元级电路时序、功耗和噪声特征化。采用SiliconSmart ACE Memory Characterization，集成电路（IC）设计师能够缩短28纳米（nm）和更小工艺节点设计的设计周期并交付更好结果。

      在当今的片上系统（SoC）设计中，要想实现设计收敛，精确的存储器单元级电路时序、功耗和噪声模型必不可少。存储器编译器通过利用数据拟合技术经由内插和外延产生存储器单元级电路模型，常常未能满足精度需求。基于仿真地完整重新特征化这类存储器编译器所生成的存储器单元级电路已成为IP特征化工具的最关键功能。微捷码的SiliconSmart ACE特征化技术与FineSim Pro仿真技术的完美结合提供了一种带有充分仿真能力的优化特征化方法，可取得所有数据点上所有时序功耗参数，交付已生成模型所需的精度。

      “SiliconSmart ACE Memory Characterization通过自动化提供了易用性、通过优化提供了效率、通过仿真提供了精度，显著减少了存储器单元级电路建模的时间和工作，”微捷码定制设计业务部总经理Anirudh Devgan表示。“拥有简单的用户友好型功能描述和多种自动化技术，IP特征化工程师无需深入了解存储器设计相关知识即可快速建立流程并实现存储器单元级电路特征化。通过在SiliconSmart ACE特征化工具中集成进微捷码业界领先的FineSim Pro仿真器，微捷码不仅改善了特征化的精度和速度，而且还降低了我们客户对存储器特征化工具的总体拥有成本。”

更快速精确的存储器特征化
      存储器电路由于纳入了更多器件，也更为复杂，因此势必会带来比标准单元等其它IP更大的仿真问题。考虑到RC网络所带来的多电源域和信号耦和，存储特征化工具所需的仿真器不仅要具有处理敏感模拟电路的精度，而且还要具有仿真大规模电路的速度。SiliconSmart ACE memory characterization的核心是FineSim Pro仿真技术，它可通过智能网表修剪（netlist pruning）、自动内部节点识别、约束加速和以模板为导向的矢量集功能描述，实现动态电路削减。这款工具安装之所以这些容易，这些功能功不可没，而且这些功能还可在无损精度的前提下提供非并行的基于仿真的完全特征化吞吐量。

SiliconSmart ACE Memory Characterization 以下列功能满足了这些需求：
? FineSim Pro仿真技术可在单台电路仿真器中同时集成进了SPICE 仿真和Fast-SPICE仿真功能。SiliconSmart ACE Memory Characterization通过利用其“多模”引擎，实现了精度与速度间适当权衡。例如：它为如读出放大器等模拟电路分配了SPICE仿真功能以确保精度；为如控制逻辑等数字电路分配了Fast-SPICE仿真功能以确保速度。FineSim Pro具有业界领先的存储器电路非理想性电源网格分析功能，通过对电源网格RC网络、信号RC和MOS晶体管进行智能分区，从而大大提高了整体仿真速度。

? 针对特征化中特定衡量标准来切除存储器电路的激励信号或矢量通常是经由电路特定部分进行传播。为提高吞吐量，存储器特征化工具必须有能力从仿真中去除电路的无源部分。不同于传统基于路径的削减方法不仅单一且不精确，SiliconSmart ACE memory characterization部署了一种智能的网表修剪算法，通过利用FineSim Pro仿真进行电路结构分析，从而识别并去除非必要性有源器件和RC。经过这种高效的按衡量矢量集的动态电路削减后实际仿真层较最初网表要小得多，从而缩短了仿真运行时间。

? 存储器特征化中建立和保持等约束衡量标准不仅非常耗时，而且还很难探测；这是因为数据和时钟通常只到达内节点，难以在全RC提取的网表进行定位。SiliconSmart ACE Memory Characterization运行FineSim Pro仿真来监控潜在候选部分的切换动作，经过彻底的试探分析，自动识别适合约束衡量标准的正确内节点。除了在SiliconSmart ACE所包含的标准单元约束加速技术以外，SiliconSmart ACE Memory Characterization还包含进了存储器约束加速技术，它可选择性保存存储器状态，然后智能地再利用这些状态来改善多个时钟周期迭代流程的运行时间，同时还不会造成任何精度损失。

? 类似SiliconSmart ACE通过自动化功能识别功能提供对标准单元特征化的轻松使用，SiliconSmart ACE Memory Characterization通过提供了具有各类存储器功能描述的模板库从而减轻存储器安装负担。这种高水平的功能性描述可针对所有时序弧自动生成所有控制文件和所有必要仿真矢量，重新特征化具有相同模型结构且经仿真后数量更为精确的存储器单元级电路。

定价和供货
      SiliconSmart ACE Memory Characterization是SiliconSmart ACE 的一款延伸产品，现已开始供货。