英飞凌与日本尔必达籍专利交叉达成和解

　　英飞凌公司管理委员会成员兼销售、营销、技术和研发负责人赫尔曼·奥伊尔（Hermann Eul）博士指出：“英飞凌很高兴能与尔必达达成和解，我们期待两家公司能够维持持久的和平关系。这一结果进一步印证了我们为保护知识产权和商业利益所做的不懈努力。”

　　今年2月19日，英飞凌及其北美分公司向美国国际贸易委员会（ITC，International Trade Commission）递交起诉书，起诉尔必达及其客户。称尔必达制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面4项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。

　　尔必达随后在弗吉尼亚州东部地区法院针对英飞凌提起两项诉讼。

　　据C114了解，英飞凌总部位于德国诺伊比贝格（Neubiberg），现为欧洲第二大半导体制造商，2009财年（截至2009年9月份）英飞凌实现销售额30.3亿欧元，在全球拥有员工约25650人。1995年公司进入中国，并于1996年在无锡建立起第一家企业，目前在华拥有员工超过1300人。

　　尔必达是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商，主要生产DRAM颗粒，并且自己制造原产的ELPIDA内存条。