Ramtron推出1兆位2.0V-3.6V 串行F-RAM存储器

世界顶尖的低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation 宣布其1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V 串行F-RAM存储器 FM25V10-G，业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证，这一严格的汽车等级认证，是汽车电子设备委员会 (Automotive Electronic Council) 针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramtron公司符合AEC-Q100标准的存储器产品已增加至15种，这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证确保器件能够在 -40℃ 到 +80℃ 的汽车使用温度范围内正常工作。

FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员，具有2.0V至3.6V 的宽工作电压范围。它是1兆位串行SPI器件，工作电流为3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工业标准8脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz 全总线速率下工作，具有无延迟 (NoDelay?)  写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行EEPROM 存储器的理想普适型 (drop-in) 替代产品。

关于F-RAM V系列

Ramtron公司V系列F-RAM产品包括多种串行I2C存储器、串行SPI存储器和并行存储器。V系列产品能够实现更好的技术规格和更多的功能集。串行V系列产品备有可选的独特的64位序列号，由一个16位客户ID、一个40位制造序列号，以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成，提供了更高的安全性。

Ramtron 现提供符合 RoHS 标准的8脚SOIC封装FM25V10-G器件，订购1万片FM25V10-G 或具有独特序列号器件 (FM25VN10-G)，起价分别为每片 5.05 美元和5.19美元。