力晶聚焦NAND Flash　挑战20纳米

事实上，力晶NAND Flash产品系师承日商瑞萨(Renesas)，瑞萨原由日立(Hitachi)分割出来，最早日立和东芝(Toshiba)在竞争NAND Flash技术时，日立选择AG-AND Flash架构开发，但到90纳米制程后，瑞萨决定放弃NAND Flash产品线，当时力晶选择接手技术和专利，从75纳米切入一路开发至今。

力晶投入NAND Flash产品研发已达6年，投入研发资金高达70亿元，过去都将资源放在标准型DRAM，2010年起因应多元化产品策略，开始将重心放在NAND Flash产品上。黄崇仁表示，力晶承袭瑞萨NAND Flash技术，是最正统NAND Flash技术架构，与国际大厂三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等技术层次最为接近，目前NAND Flash产品已在出货中，2010年下半将转进40纳米制程，高容量16Gb产品将问世。

黄崇仁指出，目前力晶NAND Flash技术脚步相较于国际大厂仍是晚1个世代，但若未来成功走向20纳米制程，对台湾NAND Flash技术研发是很大突破，因为现在很多大厂20纳米都还未确定可行，未来力晶NAND Flash会朝利基型市场发展，不会与国际大厂既有市场硬碰硬。

另外，TIMC日前亦藉由NAND Flash产品重起炉灶，获得经济部补助，将与茂德、晶豪合攻NAND Flash市场，技术是引进美商IC设计公司NanoStar技术，号称可避开现有NAND Flash大厂专利，为台湾存储器产业建立自有技术，目前已在茂德中科12寸晶圆厂进行试产。

至于旺宏对于从NOR Flash跨入NAND Flash产业亦相当积极，采用自行研发技术，预计2010年便可从75纳米制程切入试水温，第2阶段将导入57纳米制程，预估2010年下半NAND Flash产品线开始贡献营收。