松下开发出高输出功率GaN晶体管
松下半导体开发出了在25GHz毫米波频带中最大输出功率可达10.7W的GaN（氮化镓）晶体管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的硅底板上制作而成。该公司称，作为在硅底板上制成的GaN晶体管，达到了“业界最高输出功率”。另外，该公司还确认到，在60GHz频带中可获得高达2.4W/mm的输出功率密度，称这一数值“超过了在SiC（碳化硅）底板上制成的GaN晶体管”。
采用此次开发的GaN晶体管，试制调制方式采用OFDM（orthogonal frequency division multiplexing）的25GHz收发器时，能以16Mbit/秒的实际数据传输速度获得2W的平均输出功率。该公司表示，考虑到收发天线的增益及大气中的传播损耗因素后进行试算的结果表明，可实现84km的长距离通信。
GaN晶体管可实现高输出功率的理由有两点。一是使较大的漏极电流通过。通过提高在硅底板上形成的GaN膜的结晶性，使高达1.1A/mm的漏极电流通过。另一个理由是提高了漏极电压。此次开发的GaN晶体管为MIS（metal insulator semiconductor）型。该晶体管的栅极绝缘膜通过采用结晶性较高的SiN（氮化硅）膜，提高了栅极击穿电压，实现了＋55V的漏极电压。该公司称，此前一直采用非结晶状态的SiN膜。