英飞凌推出MOSFET 车用启停系统理想方案

    基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向(EPS)系统和汽车启停系统的理想解决方案。

    出于成本和效率原因，整个行业都开始转向沟槽设计。OptiMOS-T2等功率MOSFET沟槽技术相对于以往的技术，在通态电阻和栅电荷方面实现了大幅改进。这使得优值系数(FoM=栅电荷x通态电阻)达到业界最低水平。此外，英飞凌创新的大电流“Powerbond”技术可解决MOSFET键合引线受限问题，降低键合引线通态电阻的降幅，并增强电流功能。通过使键合引线更凉能进一步提高可靠性。最新的Powerbond技术可确保一个MOSFET具备多达4条500微米键合引线，使标准封装器件具备180A的额定电流。

    OptiMOS-T2技术和结实耐用的封装经过精心设计，能够在MSL1(1级潮湿度)条件下，承受回流焊接过程中的260°C高温，并且采用无铅电镀，以符合RoHS标准。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽车电子委员会(AEC-Q101)的规范要求。英飞凌先进的沟槽技术具备低栅电荷、低电容、低开关损耗和出色的优值系数，可使电机效率达到新高，同时最大限度降低EMC辐射。此外，优化的栅电荷可确保更小的驱动输出级。

    IPB180N03S4L-H0可满足需要许多并联MOSFET的大电流应用(超过500A)的要求。由于IPB180N03S4L-H0具备180A额定电流，因此，可使大电流系统所需的并联MOSFET减少一半，从而优化电流共享、热性能和成本。由于汽车电机逐步转向脉宽调制(PWM)控制以提高效率，因此，OptiMOS-T230V器件还可提供电池反向连接保护功能。

    英飞凌公司标准汽车功率产品营销总监TorstenBlanke博士指出：“英飞凌具备基于OptiMOS-T2沟槽技术的广泛汽车MOSFET产品组合。这些器件都采用结实耐用的封装，具备出类拔萃的性能和品质。通过推出具备180A额定电流的全新30VOptiMOS-T2器件，英飞凌再次在最大电流(采用标准封装)和最低通态电阻(采用沟槽技术)方面树立了行业标杆。”