三星拉大DRAM制程差距　台厂须尽速导入40纳米

三星拉大DRAM制程差距　台厂须尽速导入40纳米

台湾国际半导体展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式开幕，在半导体趋势论坛中，摩根士丹利证券执行董事王安亚针对未来DRAM市场发出警语，认为未来2Gb产品将成为DRAM市场主流，且未来以40纳米制程生产的2Gb将最具竞争力，台系DRAM厂，包括南亚科、华亚科等，必须尽快提升50纳米制程的良率，且转进40纳米制程世代，才会具有成本竞争力。

三星电子(Samsung Electronics)日前对于2010年下半DRAM市场发出供过于求的悲观论调，使得全球DRAM产业大幅受挫，台系DRAM厂商8日股价也以大跌回应。就三星目前46纳米开始量产，且35纳米制程年底前小量产出，2011年跃升为主流制程的进度来看，台系DRAM厂的技术进度令人担忧。

王安亚在半导体趋势论坛中表示，三星仍存在持续扩大全球DRAM市场的企图心，因此积极大量投资扩产，并提升制程技术，目的在于进一步拉大与竞争对手的差距，预计三星全球DRAM市占率突破40%门槛指日可待。

反观台系DRAM厂进度，南亚科和华亚科目前虽然50纳米良率逐渐提升，且产能开始增加，但必须加快脚步转进40纳米制程世代，才有机会赶上这一波存储器产业复苏的尾声。

而从DRAM价格来看，王安亚也对2011年的价格走势看法保守，以过去10年的历史经验，平均每年下跌30%幅度，但2009年却逆势上涨4倍来看，预期接下来DRAM价格难逃跌势，预计会下跌到2011年。