MOCVD设备成中国LED工艺技术发展瓶颈

从日前举行的第十二届全国LED产业研讨与学术会议得知，中国LED工艺技术取得了快速进步，但同时，硬体设备正在成为发展瓶颈，特别是MOCVD(有机金属化学气相沉积)等核心设备正在制约产业的发展。

目前国际上GaN基LED产业主流的衬底是蓝宝石，也有少量公司使用SiC衬底及Si衬底。Si衬底价格低廉，导电性能优良，但是Si与GaN的失配很大，外延出的GaN位元错密度较高，而且很容易发生龟裂，要获得高品质的GaN外延层非常困难。最近南昌大学在Si衬底上生长GaN基蓝光LED，光效达到了116.7流明，达到了同类产品的最高水准，该技术现得到了严密的专利保护。若其大规模产业化发展，将提高中国LED技术专利在国际上的地位。

在工艺技术快速进步的同时，硬体设备并未获得突破，特别是没有成熟的国产设备，大量核心的设备需要进口，严重制约了LED技术和产业的发展。

目前，中国大约30个单位已经公示或正在筹建LED外延芯片专案。其投资购买MOCVD设备的数量在1400台～1600台，而实际较可能的数量也有500台～600台。

业内人士认为，错误的资料导致外延片和芯片产业投资过热。2009年中国封装和应用的利润在48亿人民币左右，而2009年外延和芯片的总产值才23亿，所以说LED外延片与芯片约占行业70%利润的说法是错误的。这个错误的资料使人们的投资拼命投向外延片和芯片产业。

LED进入照明领域，集中体现了多技术融合的特点，属于高端技术和产品，需要具备较强的产业基础和技术基础来支撑发展和相关应用，需要做好市场分析、产品定位、投资计划和投资方案，才能有效规避投资风险。

整个LED产业随着技术提升、专业化的发展、品牌的确立，集中度会愈来愈高。这个过程中，资本成为最大的推手。产业洗牌和整合势在必行。