Freescale推出3款新型RF LDMOS功率晶体管

中电网 2010-09-30 a:1:{i:0;s:9:"Freescale";}

飞思卡尔半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管，提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率放大器（MCPA）要求的超高输出电平。

飞思卡尔 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S 产品是飞思卡尔RF功率放大器中高压第8代（HV8）产品系列的最新成员。它们在1800和1900MHz频段中，提供飞思卡尔RF LDMOS 功率晶体管产品组合的最高输出电平。

MCPA支持无线服务提供商提高现有基站的覆盖面和功率，不用像过去那样经常要在每载波里提供一个专用放大器。 MCPA技术允许单个放大器处理多个载波，从而减少终端产品尺寸和组件数量。此外，Doherty配置提高了功率放大器的能源效率，并减少了基站每年的运营成本。

飞思卡尔副总裁兼RF部门总经理Gavin P. Woods表示， “我们设计飞思卡尔HV8组合来帮助设计人员提高运营效率，降低基站系统的整体能耗和运营成本。由于增加了先进的MCPA、 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S产品，我们的LDMOS产品得到进一步扩展，从而为客户带来更多选择，以满足他们的设计需求，特别是满足大量无线服务提供商的要求。”

新产品满足了Doherty放大器体系结构的特殊要求，该体系结构将以AB级模式运行的载波放大器与以效率更高的C类模式运行的峰值放大器相组合到一起。它们的这些特性还能够特别满足数字预失真（DPD）电路的要求，从而保证了高阶预制方案规定的高线性。

晶体管通过内部匹配提供简化的总成，性能十分牢固，而且在32伏的直流电压中生成10:1 VSWR的额定功率。它们被安装到飞思卡尔NI1230陶瓷气腔封装包里，提供集成的静电放电（ESD）保护，从而更好地防止在总成线上所遇到杂散电压；当以C类模式操作时，-6至+10 V这样广泛门限电压范围则能提高其性能。

MRF8P18265H/S 是双路径器件，在单个封装中需要同时集成载波和峰值放大器来实施Doherty末级别放大器。

特性：

MRF8S18260H/S

· 1805 至1880 MHz

· P1dB 功率为260W CW

· 平均输出功率达到74W时，AB类漏极效率为31.6%

· 增益为17.9 dB

MRF8S19260H/S

· 1930 至1,990 MHz

· P1dB 功率为245W CW

· 平均输出功率达到74W时，AB类漏极效率为 34.5%

· 增益为18.2 dB

MRF8P18265H/S

· 1805 至1880 MHz

· 峰值（P3dB）功率为280W

· 平均输出功率达到72W 时，Doherty漏极效率为43.7%

· Doherty增益为16dB