欧司朗: LED芯片制造升级和产能扩充

欧司朗光电半导体在扩大两家芯片制造厂规模的同时，还将它们升级为6英寸晶圆制造基地，从而大幅提高产量。

  其中，马来西亚槟城基地正在兴建一座生产大楼，而德国雷根斯堡基地则正在重新划拨现有厂房。这两个基地都将采用新的制造技术，引入6英寸晶圆来替代目前的4英寸晶圆。采取这些措施后，到2012年底，白光LED的芯片产量将有望翻番。

  通过这一系列举措，欧司朗光电半导体将因应国际LED市场的增长潜力，趁势扩充雷根斯堡和槟城两个芯片制造基地的产能，进一步夯实其在国际市场的领先地位。槟城芯片制造厂开业不到两年，如今已迎来扩建升级至6英寸晶圆制造基地的大好时机，总厂房面积到2012年将升至25,000平方米，新增400个工作岗位。在雷根斯堡基地，将重新规划可用空间，最早于2011年夏开始对InGaN（氮化铟镓）生产进行逐步升级。

  欧司朗光电半导体首席执行官Aldo Kamper先生表示：“通过扩充高性能InGaN芯片的产能，我们正一如既往地巩固我们的市场地位。LED市场在许多不同的应用领域具有很大的增长潜力，我们将继续利用这一推动力不断成长。欧司朗光电半导体是欧司朗LED技术增值链中的一个重要环节。”

  这次产能扩充主要会影响采用薄膜和UX:3技术的InGaN芯片，而这是生产白光LED时所必需的。今后，这些芯片都将从一开始就在6英寸晶圆上制造，而不再基于目前直径为4英寸的晶圆。