Ramtron使用IBM生产线制造F-RAM

Ramtron使用IBM生产线制造F-RAM

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商宣布，现在已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器(F-RAM)样片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4kbit和16kbit的串行5V F-RAM产品，这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集和储存解决方案。Ramtron的F-RAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟(NoDelay?)写入、高读/写耐用性及低功耗特性。

Ramtron公司首席执行官 Eric Balzer称：“发布FM24C04C和FM24C16C样片是Ramtron新代工服务项目的重要里程碑。这些预验证芯片符合所有数据表规范和公司严格质量标准的要求，现在这批样片可以提供给客户做产品评测。在测试完成后，我们将会提供其它样片，包括3V I2C和3V及5V SPI产品。”

FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作电流为100μA(100kHz下典型值)，总线运行频率最高可达1MHz。这些器件适用于工业控制、计量、医疗、军事、游戏和计算应用及其它领域，可作为4和16Kb串行EEPROM存储器的直接替代产品。FM24C04C和FM24C16C均采用工业标准8脚SOIC封装，工作温度范围是工业级的-40°C至+85°C。

Ramtron公司FM24CxxC产品的单字节写入速度比EEPROM快200倍。此外，相比记录新数据之前需要5至10毫秒写入延迟的EEPROM器件，这些器件具有无延迟特性，能够以标准总线速度写入。FM24C04C和FM24C16C具有1万亿个写入周期，而EEPROM只有100万个写入周期。相比同类非易失性存储器产品，它们具有极低的工作电流。

2009年年初Ramtron和IBM达成代工服务协议，IBM在其位于美国佛蒙特（Vermont）州Burlington的先进晶圆生产设施中部署Ramtron的F-RAM半导体工艺技术。Ramtron的专有F-RAM技术堆栈已经整合到IBM的 0.18微米CMOS工艺中，用于生产Ramtron的标志性高性能非易失性F-RAM产品。IBM拥有世界级代工服务，为Ramtron现有产品及新产品开发计划提供了具有成本效益的灵活制造平台。

Ramtron是在半导体产品中采用铁电材料的先驱企业，开发了新类型非易失性存储器，称作铁电随机存取存储器即F-RAM。Ramtron的铁电存储器结合了动态随机存取存储器 (DRAM) 的高速度和非易失性数据储存特性，即无电存储数据的能力。自从这项技术商业化以来，Ramtron已经在严苛的应用领域销售了数亿个F-RAM器件，包括汽车安全和娱乐系统、便携式医疗设备、工业过程控制系统、智能电表和消费打印机墨盒。F-RAM技术是市场上功效最高的非易失性存储器技术，有望为超高效电池供电产品和能量收集应用的开发铺平道路。