Ramtron使用IBM生产线制造F-RAM

Ramtron公司首席执行官 Eric Balzer称：“发布FM24C04C和FM24C16C样片是Ramtron新代工服务项目的重要里程碑。这些预验证芯片符合所有数据表规范和公司严格质量标准的要求，现在这批样片可以提供给客户做产品评测。在测试完成后，我们将会提供其它样片，包括3V I2C和3V及5V SPI产品。”

FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作电流为100μA(100kHz下典型值)，总线运行频率最高可达1MHz。这些器件适用于工业控制、计量、医疗、军事、游戏和计算应用及其它领域，可作为4和16Kb串行EEPROM存储器的直接替代产品。FM24C04C和FM24C16C均采用工业标准8脚SOIC封装，工作温度范围是工业级的-40°C至+85°C。

Ramtron公司FM24CxxC产品的单字节写入速度比EEPROM快200倍。此外，相比记录新数据之前需要5至10毫秒写入延迟的EEPROM器件，这些器件具有无延迟特性，能够以标准总线速度写入。FM24C04C和FM24C16C具有1万亿个写入周期，而EEPROM只有100万个写入周期。相比同类非易失性存储器产品，它们具有极低的工作电流。

2009年年初Ramtron和IBM达成代工服务协议，IBM在其位于美国佛蒙特（Vermont）州Burlington的先进晶圆生产设施中部署Ramtron的F-RAM半导体工艺技术。Ramtron的专有F-RAM技术堆栈已经整合到IBM的 0.18微米CMOS工艺中，用于生产Ramtron的标志性高性能非易失性F-RAM产品。IBM拥有世界级代工服务，为Ramtron现有产品及新产品开发计划提供了具有成本效益的灵活制造平台。

Ramtron是在半导体产品中采用铁电材料的先驱企业，开发了新类型非易失性存储器，称作铁电随机存取存储器即F-RAM。Ramtron的铁电存储器结合了动态随机存取存储器 (DRAM) 的高速度和非易失性数据储存特性，即无电存储数据的能力。自从这项技术商业化以来，Ramtron已经在严苛的应用领域销售了数亿个F-RAM器件，包括汽车安全和娱乐系统、便携式医疗设备、工业过程控制系统、智能电表和消费打印机墨盒。F-RAM技术是市场上功效最高的非易失性存储器技术，有望为超高效电池供电产品和能量收集应用的开发铺平道路。