科锐展出GaN HEMT晶体管与单片式微波集成电路

科锐展出GaN HEMT晶体管与单片式微波集成电路

 科锐公司（纳斯达克：CREE）日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出其 2.7~3.5 GHz（S 波段）最新封装 GaN HEMT 功率晶体管与高功率放大器 (HPA) 单片式微波集成电路（MMIC）。这些产品提供业界最佳的功率与效率组合，可实现 60% 的典型功率附加效率 (PAE)。与现有解决方案相比，可降低20%的能耗。

  科锐无线射频（RF） 总监 Jim Milligan 指出：“业界领先的 S 波段 GaN HEMT 器件能够满足空中交通管控、气象雷达以及国土安全防卫等各种民用与军事应用需求，科锐 非常高兴能够提供这样的产品。热管理是雷达系统的一个重要考虑因素，科锐 GaN HEMT 产品可提供极高效率的解决方案，可让功率耗散更低、功率分布更简化、器件封装更小、重量系统更轻。

  S 波段晶体管 CGH31240F 与 CGH35240F 内部全面匹配于 50 欧姆 (Ω) ，在 2.7 至 3.1 GHz 与 3.1 至 3.5 GHz 下都能提供 240 瓦特的饱和RF 输出功率。采用小型封装（0.9” x 0.68”）实现大于 11dB 的功率增益，支持 60% 典型功率附加效率。此外，与 GaAs 及 Si 等其它技术相比，SiC 上 GaN 的高效率与出色热特性可以让这些器件在特定工作条件下实现不足 0.2dB 的出色脉顶倾斜。

  CMPA2735075F 是双级 GaN HEMT 大功率MMIC放大器，2.7 至 3.5 GHz 内饱和 RF 输出功率为 75 瓦特，采用小型封装（0.5” x 0.5”），功率增益为 20dB。这是市场上首款，也是唯一一款 S 波段 GaN HEMT MMIC 高功率放大器（HPA），其支持 300 微秒的脉宽与20% 的占空比，可实现 60% 的典型功率附加效益 (PAE)。

  CGH31240F、CGH35240F 与 CMPA2735075F 现已开始供货。