2011年下半存储器芯片市况将不透明

权五铉表示，一般来说，下半年存储器芯片市况应会比上半年好，然而近来变量相当多。2011年下半可能会与上半相同，半导体价格可能会大幅攀升，也可能没有任何表现。

权五哲也表示，美国经济恢复缓慢，且加上日本311地震、大陆紧缩政策、中东北非局势不稳定、欧洲金融危机等，目前有许多全球性问题未获解决。由于存储器芯片产业是受景气影响大的产业，因此市况仍不透明，而存储器芯片价格最有可能在2011年第3季末或第4季间出现反弹，然而目前仍无法肯定。

如同韩国半导体业界各首长所担忧的，近来存储器芯片价格无法摆脱跌幅。据市调机构DRAMeXange统计，DRAM DDR3 1Gb产品6月下半合约价，较6月上半下滑5.71%，为0.92美元。6月下半主要DRAM产品价格较5月下半滑落3.92%，此外，DRAM 2Gb产品也较6月下半下滑5.83%至1.94美元，和1Gb产品同样连续2个计算周期呈现下滑局面。

在日本311地震后，PC制造业者积极确保DRAM货量，使价格暂时出现升幅，然因全球经济议题影响，PC需求不振，PC业者减少DRAM库存，使DRAM价格回到跌幅。

外电指出，即使存储器芯片价格下滑，在DRAM业界站稳地位的三星和海力士，相较于海外存储器芯片竞争厂，仍可望维持高收益性。

韩国Kiwoom Securities常务表示，三星和海力士使用40~30纳米等级制程生产DRAM，积极撙节成本，即使目前1Gb DRAM交易价格约0.8美元，韩厂仍能维持充分的收益。

韩国业界表示，三星半导体事业2011年第2季和第3季预估将各创造2兆韩元(约18.78亿美元)及2.3兆韩元(约21.6亿美元)营业利益。海力士第2季和第3季也将各有3,200亿韩元(约3亿美元)及4,700亿韩元(约4.4亿美元)营业利益，持续提升收益。