宜普开发板专为使用增强型eGaN FET系统而设计

宜普开发板专为使用增强型eGaN FET系统而设计

       宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普增强型氮化镓(eGaN?)场效应晶体管设计产品。

        EPC9005开发板

        EPC9005开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN?)场效应晶体管设计产品。受益于eGaNFET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

        EPC9005开发板是一种40V最大输入电压、7A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC201440VeGaNFET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2014eGaNFET的过程，因为EPC9005是块单板，上面集成了所有关键元器件，可以方便地连接任何现有转换器。    

        EPC9005开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2014eGaNFET，而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。EPC9005开发板集成了所有关键元器件及布局，以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。

        EPC9006开发板   

        EPC9006开发板能使用户更方便地使用宜普100V增强型氮化镓(eGaN?)场效应晶体管设计产品。受益于eGaNFET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。    

        EPC9006开发板是一种100V最大输入电压、5A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2007eGaNFET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2007eGaNFET的过程，因为EPC9006是块单板，上面集成了所有关键元器件，可以方便地连接任何现有转换器。    

       EPC9006开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器及采用半桥配置的两个EPC2007eGaNFET，而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。EPC9006开发板集成了所有关键元器件及布局，以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。