在1mm2 VLED-MS芯片上的可靠性测试方案

       采用金属合金衬底技术，SemiLEDs面积仅1mm2的GaN LED能产生80lm/W的全彩输出。由于n-GaN层增强的电流传播模式，光辐射模式非常一致。

　　不过，按照SemiLEDs公司最先提出的方法，通过将GaN LED生长在电导和热导性衬底上，这一问题得以解决。我们生长在金属衬底上的垂直LED(VLEDMS)使用了低成本大规模的生长过程，利用一种新型垂直设计，以金属合金衬底为主要特征。这些辐射器给出了传统和倒装LED设计所没有(图1)的许多优点，能够在350mA的驱动电流下提供75lm/W的发光效率，这也是迄今为止的最高输出功效之一。

　　SemiLEDs有超过20项倍受保护的专利技术，并用来设计、开发、制造和出售高亮度的LED。公司总部在美国硅谷的Milpitas，在台湾Hsinchu Science Park也有分部。

　　蓝宝石的缺点

　　源于生长在蓝宝石衬底上滋生的不良热性能和电学性能，这影响了传统的GaN LED的发光效率。蓝宝石的热导率仅仅只有35W/mK，这限制了LED的工作电流。而材料也是一种绝缘体，n型接触无法附着在衬底的背面，只能成形在n型层的顶部。这意味着有源层必须从芯片上刻蚀，这将使辐射强度减弱20-30%。在其顶部一侧拥有两种接触的LED也会导致电流经过n型GaN层传输，这将会造成电流拥堵以及更高的动态阻抗从而提高器件温度。

　　传统的GaN LED还会由于在p型GaN层中的低电流分布而遭遇不均匀光辐射。这个缺点能够通过半透明接触层或者器件横向电流的交叉电极阵列而得到克服。但是，半透明层也会吸收掉一些芯片的辐射从而降低输出功率。

　　通过使用垂直结构和在器件的背面使用n型和p型电极的金属合金衬底(c)，SemiLEDs解决了几个限制传统晶片(a)和倒装晶片(b)LED性能的问题，比如电流拥堵和器件发热等。

　　正是这些缺点使得最主要的LED制造商比如Lumileds转而使用倒装晶片结构的设计。但是，为了形成n型接触，这种方法仍然需要从p-GaN和激活层刻蚀材料，这再次减小了辐射范围。电流从阳极传到阴极仍然沿着n-GaN层，这意味着电流拥堵和更高的动态阻抗问题仍然不可避免。

　　相对于传统结构，倒装晶片LED的一个好处就是提高了散热能力，并且产生更高的抽取效率，这部分归因于有图案的或者起纹理的蓝宝石表面，但是这种结构的产生非常复杂。

　　在所有被用来制造GaN LED的常用衬底中，蓝宝石的热导率最低。如果说Cree采用SiC衬底是一个创举，SemiLEDs采用金属合金衬底更加可取。

　　SemiLEDs的VLEDMS方法克服了许多制约传统和倒装晶片LED性能的缺点。例如，这种方法不需要刻蚀任何材料来形成n型电极，相对于同等尺寸生长在蓝宝石衬底上的LED，这将会增强辐射能力。同时，由于电流是在垂直方向上经过器件，电流拥堵也可以避免，动态阻抗也明显减弱。