三安光电联手研发世界最亮深紫外LED芯片引关注

三安光电联手研发世界最亮深紫外LED芯片引关注

2011年12月7日-9日，国际半导体器件研究研讨会（International Semiconductor Device Research Symposium）在美国华盛顿马里兰大学召开，三安光电与合作伙伴CRYSTALISINC（USA）推出的世界上亮度最高的深紫外LED芯片吸引了全球专家的目光。

三安光电本次开发的新产品为波长低于280nm的氮化铝衬底深紫外LED芯片（UVCLED），用氮化铝衬底的优点在于深紫外波长光通量匹配、晶格匹配、热膨胀系数匹配，为外延生长提供了一个最理想的基板。芯片工艺采用三安光电芯片量产技术，搭配特定的干蚀刻工艺及相应的电子金属结构，大大提高了LED器件的发光效率和可靠性。经美国陆军研究实验室（ArmyResearchLaboratory）设备检测，波长265nm的UVCLED封装后达到9.2mw产业化指标，是目前世界最亮的UVCLED。

UVCLED芯片有广阔的应用领域，主要包括代替广泛应用的含汞杀菌紫外灯、深紫外线直接杀菌、民用食水净化及消毒、空气净化及消毒、分光光度计光源、光线疗法等。

UVCLED芯片技术及产品的成功推出，彰显了三安光电在LED领域的研发实力，提高了在国际半导体照明领域的影响力和竞争力，进一步巩固了在LED深紫外领域的领先地位。