如何识别现代内存芯片的编号
现代内存芯片的编号识别
一、现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下(这里说的是2000年9月30日后的新版本HY内存芯片):
HY XX X XX X X X XX X -XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
第1字段由HY组成，代表是现代(HYUNDAI)的产品。
第2字段代表产品类型：通常用57代表SDRAM。
第3字段代表电压：通常用V代表SDRAM的额定电压3.3V。
第4字段代表一个内存芯片的密度和刷新速度：64代表64Mbit、4K刷新;65代表64Mbit、8K刷新;28代表128Mbit、4K刷新;56代表256Mbit、8K刷新。
第5字段代表数据带宽： 4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表内存芯片内部由几个Bank组成：1代表2BANK;2代表4BANK。
第7字段代表电气接口：0代表LVTTL;1代表SSTL_3。
第8字段代表芯片修正版本：空白或H代表第1版，A或HA代表第2版;B或HB代表第3版;C或HC代表第4版，依此类推。
第9字段代表封装方式：T代表TSOP;Q代表TQFP;I代表BLP;L代表CSP(LF-CSP)。
第10字段代表内存芯片的速度：现代电子从2000年9月30日开始逐渐停止生产编号结尾采用数字的内存芯片，如-10S、-7J、-75等等，而全面采用英文字母作为新的编号标识方式：H代表7.5ns(PC133 CL=3); P代表10ns(PC100 CL=2);S代表10ns(PC100 CL=3)。
例如内存芯片标识为“HY57V28820HCT-H”(见图1)指的是HY的128Mbit SDRAM内存芯片，刷新为4K Ref，数据带宽为8位，Bank为4，接口为LVTTL，芯片修正版本为第4版，速度是7.5ns(PC133 CL=3)。
二、现代DDR SDRAM内存芯片的识别
现代(HYUNDAI)公司的DDR SDRAM内存芯片上的标识格式如下：
HY XX X XX X X X X -XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨
第1字段由HY组成，代表是现代(HYUNDAI)的产品。
第2字段代表产品类型：通常用5D代表DDR SDRAM芯片。
第3字段代表电压：通常用U代表DDR SDRAM的额定电压2.5V。
第4字段代表一个内存芯片的密度和刷新速度：64代表64Mbit、4K刷新;65代表64Mbit、8K刷新;28代表128Mbit、4K刷新;56代表256Mbit、8K刷新。
第5字段代表数据带宽： 4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表内存芯片内部由几个Bank组成：1代表2BANK;2代表4BANK。
第7字段代表电气接口：通常用2来表示184pin的DDR SDRAM接口。
第8字段代表封装方式：T代表TSOP;Q代表TQFP;I代表BLP;L代表CSP(LF-CSP)。
第9字段代表内存芯片的速度：K代表DDR266a;H代表DDR266b;L代表DDR200。
例如内存芯片标识为“HY5DU28820HCT-H”(见图2)指的是HY的128Mbit DDR SDRAM内存芯片，刷新为4K Ref，数据带宽为8位，Bank为4，封装方式为TSOP，速度为DDR266a。
三、现代RDRAM内存芯片的识别
现代(HYUNDAI)公司的RDRAM内存芯片上的标识格式如下：
HY XX XXX XX X XX -X
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦
第1字段由HY组成，代表是现代(HYUNDAI)的产品。
第2字段代表产品类型：通常用5R代表RDRAM芯片。
第3字段代表一个内存芯片的密度：128代表128Mbit;144代表144Mbit;256代表256Mbit;288代表288Mbit。
第4字段代表芯片修正版本：空白或H代表第1版，A或HA代表第2版;B或HB代表第3版;C或HC代表第4版。
第5字段代表数据带宽：4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表内存芯片的速度标识：40代表40ns;45代表45ns;53代表53ns。
第7字段代表内存芯片的工作频率：6代表600MHz;7代表711MHz;8代表800MHz;1代表1066MHz。
例如内存芯片标识为“HY5R128HC840-H”(见图3)指的是HY的128Mbit RDRAM内存芯片，芯片修正版本为第4版，数据带宽为8位，速度为40ns，工作频率为800MHz。