2012年NAND闪存将呈现爆炸式增长

      在近日举办的“BIWIN首届NandFlash应用高峰论坛”上，福州瑞芯微电子有限公司总裁陈锋直言“后PC时代已经到来”，今年平板电脑的出货量预计在1.5亿台左右，智能手机将突破6亿部，加起来为7.5亿部，将远超今年PC出货量，带动对显示屏、主控芯片和存储器关键部件的需求，Nand闪存将呈现爆炸式的增长。

    制程提升对闪存控制器带来挑战，Gartner预估今年Nand闪存市场将增长18%。闪存技术发展的日新月异，对新技术、新工艺的追求和使用，相应地对控制器也提出了新的要求。

    今年以来，Nand闪存大厂英特尔、东芝、海力士、三星、美光等均有扩增新产能计划，向20nm制程发力。英特尔已经量产20nm工艺的128GBNand闪存产品，预计下半年即可出货。三星更是在西安建厂冲击10nmNand闪存，一场围绕NandFlash应用的存储大变革正在进行。

    而20nm制程“照进现实”，对Nand闪存厂商亦带来全新挑战。英特尔(中国)有限公司嵌入式营销事业部销售经理潘锋表示，一方面随着制程的提升，产品对于性能、ECC的要求会越来越高;另一方面制程成本的降低，对于可靠性和稳定性要求更高。制程的提升虽有助于成本的降低，但相应地会损失性能。他举例说，英特尔25nm的闪存可以做到3000次的可擦写次数，但到20nm，产品表现要差一些。LSI中国区高级业务经理邢刚也表示，闪存工艺提升带来了低成本，但同时带来寿命和可靠性的降低，因而下一步如何保证闪存的性能和稳定性是非常重要的。

    深圳市泰胜微(BIWIN)科技有限公司总裁孙日欣提到，新的Flash工艺技术的引进带来CPU、MCU等的变革，如果MCU等不能及时消化、吸收Nand闪存所带来的技术变革，那么闪存的革新就失去了意义。“谁的控制器能够对新制程的Nand闪存进行有效的支持，谁就掌握了市场的先机。”孙日欣进一步强调说。

    慧荣科技股份有限公司(SMI)总经理苟嘉章则用“脆弱”来形容随着工艺技术飞速发展的闪存。他表示需要在设计机制上为今后的14nm制程做好准备。他同时表示，由于Nand闪存需要进一步降低成本，制程微缩，在极小的线宽和更高的电压下频繁地擦写，这给控制器厂商提出了很大的挑战，SMI针对这些特点在ECC纠错、安全保护等方面进行了优化，确保了高级工艺闪存稳定可靠地工作。

    手机存储向eMMC进发

    在智能手机存储器中，引人关注的是eMMC的兴起。 而Nand闪存在手机中的应用也经历了“从无到有、从低到高”的历程。BIWIN公司总经理刘阳表示，手机从不需要Nand闪存，到功能手机出现时需要Nand闪存，到现在智能手机对Nand闪存有更高的要求，也就是eMMC，今后智能手机对Nand的需求将会更高。苟嘉章则指出，智能手机、平板电脑、超级本等已成为Nand闪存主要的成长动力，需求包括eMMC、eMCP、SSD等。