英特尔:内存芯片短缺或将持续至2028年!
来源:华强微电子 作者: 时间:2026-02-06 09:55
2026年2月初,在思科主办的AI峰会上,英特尔首席执行官陈立武(Lip-Bu Tan)发出行业预警——全球内存芯片供应短缺问题短期内没有缓解迹象,可能要持续至少到2028年。
这一观点比市场此前预期的2025-2026年更为悲观,但却反映了一个实质性趋势:随着AI基础设施建设爆发式增长,对高性能内存(尤其是HBM类型)的需求已进入 “抢购式”阶段,大量产能被数据中心和AI芯片优先吸纳,使得传统 PC、智能手机等终端内存供应更紧张。
陈立武强调,他与行业内两家核心存储厂商沟通后获悉的业内结论是: “至少到2028年之前都不会缓解。”
这一判断有力说明:
AI发展对存储需求的结构性改变已不可逆;
未来数年内,内存供应链仍将是芯片产业的核心博弈点;
消费电子的供给和价格有可能持续承压。
换言之,短缺不仅是周期性现象,更是产业结构性供需失衡的结果。对于产业链上下游而言,这既是挑战,也是长期创新与布局的机会。
英特尔这一判断值得所有半导体从业者、投资者和技术关注者认真思考:谁能在未来几年内掌握内存供给权,谁就能更从容地迎接AI时代的发展浪潮。
*免责声明:本文消息源自网络,由华强微电子整理,消息未经官方证实,仅供交流学习之用。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码

- •被AI点燃的电子工业大米:MLCC需求暴增3-5倍,涨价35%2026-06-03
- •碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案2026-06-03
- •MathWorks推出全新瑞萨硬件支持包,助力汽车和工业工程师快速构建嵌入式系统原型2026-06-03
- •兆易创新亮相SNEC光伏展,以光储充全场景应用赋能数字能源变革2026-06-03
- •安森美赋能下一代AI工厂2026-06-03
- •Qorvo推出全新宽带高隔离度开关系列产品,消除5G无线电级联架构2026-06-03
- •助力新一代电源设计,大联大诠鼎携手安森美详解高整合快速开发电源平台2026-06-03
- •Vishay特种薄膜业务部门推出薄膜金属化基板平台2026-06-03
- •以MGX驱动下一代NVIDIA AI工厂2026-06-03
- •赋能高效电源创新升级,大联大诠鼎携手ST详解高性价比GaN产品与电源应用2026-06-03






