Bridgelux募集6000万美元用于Si衬底上GaN外延技术研发

来源:半导体照明网 作者:--- 时间:2011-08-08 00:00

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  BridgELux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如Si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。据Bridgelux估计,扩展市场后,明年销售额将3倍于今年,达到30亿美元。用于Si衬底上GaN外延技术研发。

  从2002年至今,Bridgelux已经获得总数达到1.8亿美元的风险投资。

  最初,Bridgelux的主要研发精力集中在基于ITO/InGaN技术的功率型LED芯片设计和制造上。后来,公司研发策略发生了变化,2009年1月,Bridgelux推出了他们第一个led阵列产品,随后在2009年5月开发了一系列固态照明设计和元器件支撑。2010年3月,联合Molex公司研发了即插即用的耐用照明模块,专门为工厂和商业大厦的业主使用。到了2011年5月,Bridgelux又推出了第三代LED阵列。

 

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