苏州纳维科技有限公司2英寸氮化镓衬底正式量产
来源：中国LED网 作者：--- 时间：2011-10-14 00:00
苏州纳维的2英寸氮化镓衬底（2-inch Free-standing GaN Substrate）开始正式量产。经过四年的刻苦攻关，苏州纳维团队完成了设备研发、材料生长技术、衬底抛光、成品率提升等多项难题，形成核心专利30余项，日前2英寸氮化镓衬底完成开发，并于10月1日量产。已经获得世界各地多项订单。
目前提供的2英寸自支撑氮化镓衬底厚度280 ± 10 μm，位错密度低于5x106cm-2，n型或半绝缘，供货周期为九周。预计2012年至2013年将陆续推出4英寸、6英寸氮化镓衬底。
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