科锐发布可输出377A电流的1500V耐压SiC DMOS

科锐发布可输出377A电流的1500V耐压SiC DMOS

　　美国科锐公司试制出了耐压1500V的SiC DMOSFET（DMOS），并在功率半导体国际学会“ISPSD2011”（美国圣地亚哥，2011年5月23日~26日举行）上发布。

　　试制元件的有源区域为0.1cm2.室温下，栅极-源极间电压为20V、漏极-源极间电压为1V左右、漏电流超过30A.导通电阻为3.6mΩcm2.

　　科锐利用该元件，试制出了大小为7mm×8mm,有源区域为0.5cm2的大尺寸SiCDMOS,并将其封装成产品。栅极-源极间电压为20V、漏极-源极间电压为0.5V、室温下漏电流为56A.将栅极-源极间电压提高到20V、漏极-源极间电压提高到3.8V时，室温下漏电流可达到377A.

　　将该SiCDMOS与SiC二极管（JBS构造品）组合，测量7mm×8mm试制品的开关特性时得到的结果是，在120kW（600V,200A）的电力下，每个开关周期会出现6.82mJ的开关损失。