NS推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

NS推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

　　美国国家半导体公司（National SemiconductorCorp.）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaNFET驱动器，与使用分立驱动器的设计相比，其可减少75%的组件数量，并还能缩小多达85%的印刷电路板（PCB）面积。

　　砖式电源模块和通信基础设施设备的设计人员需要以最小的外形尺寸实现更高的功效。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaNFET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。美国国家半导体的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。

　　为了满足增强型GaNFET严格的栅极驱动要求，我们需要多个分立器件和大量的电路以及PCB设计工作。美国国家半导体的LM5113完全集成的增强型GaNFET驱动器大大减少了电路的数量和PCB的设计工作，并实现了业界最佳的功率密度和效率。

　　宜普电源转换公司（Efficient PowerConversion Corporation）的创始人之一兼首席执行官AlexLidow表示：“美国国家半导体的LM5113桥式驱动器有助于设计人员通过简化设计来发挥eGaNFETs的性能。LM5113大大减少了元件数量，与我们的eGaNFETs配合使用，可以大幅缩小PCB面积，实现更高的功率密度水平，而基于等效MOSFET的设计是做不到这一点的。”