普瑞未来两年将推出硅衬底LED芯片 成本可降20％至30％

【高工LED专稿】 【高工LED讯】日前，普瑞宣布其新制造工艺的性能指标获得提升，预计将在未来两年制造基于硅衬底的LED芯片，希望可以降低大约20％至30％LED照明成本。

当前，大多LED芯片仍以蓝宝石或碳化硅衬底为主。为了降低LED芯片的生产成本，多年来研究人员一直在努力完善基于硅衬底的LED制造工艺，但仍存在硅衬底开裂或扭曲的问题。普瑞宣称，其先进的LED生产工艺可以在硅衬底上生产出同等性能的氮化镓LED。

普瑞公司已经大大提高了硅衬底LED芯片的流明/瓦、光色和显色指数等性能，在今年3月，普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓LED发展战略时，就已经取得135lm/w的白光。

对于冷光源，其样品可以实现160lm /w，暖黄色光源可以达到125lm/w。暖色LED灯泡其效率有望达到85lm/w，比目前的商用LED照明产品效率更高。

普瑞表示，力争在未来两年推出基于硅衬底的LED芯片，这是一个非常切合实际的目标。但目前最大障碍是如何制造芯片。