上海蓝光大功率LED芯片光效已达120lm/w

【高工LED专稿】 【高工LED讯】上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高LED光提取效率。
 
据上海蓝光介绍，公司主要产品GaN基大功率LED芯片(45*45 mil)发光效率目前已达到120lm/w @ 350mA，量产水平已达100 lm/w @ 350mA。小功率芯片(10*23 mil)量产水平已达7lm @ 20mA。
 
据悉，至2010年底，蓝光上海总部拥有MOCVD生产线20条，年产蓝绿LED芯片100亿颗。而安徽生产基地计划上200条MOCVD生产线，一期建50条，二期建150条。