IMEC发布最新硅衬底晶片生产技术

【高工LED专稿】 【高工LED讯】日前，IMEC(Interuniversity Microelectronics Centre，欧洲微电子研究中心)公布了关于氮化镓工业联盟计划(IIAP)的研发项目新进展，该中心与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/AlGaN的技术。
 
借助这项新技术，GaN MISHEMTs(metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，无金属高电子迁移率晶体管)能够严格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)的污染控制要求在工艺线上进行生产(不再需要加入金这种贵金属)，进而能够在200mm硅衬底上大批量生产高质量的氮化镓产品。
 
据IMEC方面介绍，该技术优势主要是可实现大尺寸生产和具有良好的兼容性。氮化镓是一种极具潜力能替代硅元件的新一代功率器件。IMEC使用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅晶片上生产出表面无裂纹并且弯曲度小于50微米的氮化镓硅晶片是一个重要的里程碑，因为生产大尺寸晶片对降低成本效果显著。
 
降低成本第二个有效因素是怎样使得功率器件与标准CMOS制造工艺和工具兼容。IMEC的新技术展示了使用标准CMOS工艺生产GaN MISHEMTs，并验证了所有的设备仅仅只要求在软件和硬件做微小的调整即可。通常，金这种贵金属被用于氮化镓产品的电路连接和门电路结构，但它使氮化镓的加工与CMOS工艺不兼容。而IMEC基于无金的电路连接系统，和无金的金属绝缘半导体(MIS)门结构解决了兼容问题。这种MISHEMT设计还能有效降低传统HEMTs(高电子迁移率晶体管)的高漏电问题。