中微公司面向22纳米及以下芯片加工推下一代刻蚀设备

【高工LED专稿】 【高工LED讯】日前，中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)发布了面向22纳米及以下芯片生产的第二代300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备Primo AD-RIE™。该产品将于今年Q3付运，中微透露第一台Primo AD-RIE将进入亚洲某一流芯片代工厂。
 
中微指出，新产品同前一代产品类似，同行业标准相比，Primo AD-RIE实现了35%到50%的资本效率增益，总体拥有成本降低20%至40%，更加紧凑的产品设计，占地面积比同类最大设备小至少30%，这些都使得Primo AD-RIE 成为当前半导体设备市场上最高产出率、最低生产成本的先进刻蚀设备。
 
据悉，中微公司至今已有超过30台设备进入亚洲9家客户，其中包括了世界顶级的晶圆生产厂商。为了进一步满足市场需求，中微正在中国扩大生产能力，今年，中微将在台湾竹南地区完成建立新的组装和测试厂房设施。
 
据中微介绍，其新推出的第二代刻蚀设备应用了更多技术创新包括：先进的射频系统保证了刻蚀过程的稳定性和可重复性，更好的调谐能力确保了超精细的关键尺寸均匀度，更优异的反应室内壁材料以降低缺失来提高产品良率。
 
中微称第二代新品的特点和优势主要是：
 
1、去耦合反应离子刻蚀实现了离子浓度和离子能量的独立控制；
2、独特的甚高频射频输入和对称分布可在大批量生产环境中仍能确保实现重复性结果的精准控制；
3、具有自主知识产权的等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定可靠，有更宽泛的工艺窗口；
4、每个反应台独立的射频发生器、各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理；
5、从底部供能的高频射频提供了稳定、低压、高密度度的等离子体，保持low-k 材料的完整性；
6、具有自主知识产权的、具有快速、稳定、可靠的调谐能力的自隔离射频匹配装置；
7、反应腔内壁选用高纯度、耐等离子特殊材料，开发了最佳的材料加工过程，大大降低了损耗，将杂质微粒数降到最低；
8、电阻上电极直接加热处理的闭环控制为持续的芯片加工过程提供了精确、快速的温度控制；
9、双反应台反应器的簇架构，可配置多达六个单芯片加工反应台，即在较小的占地面积上获得很高的输出量；
10、模块化的系统架构使安装和维护操作更简便。