苏伟迈：国内外LED外延芯片技术对比

半导体照明产业正面临难得的历史机遇，我国LED封装和应用产品产量已占全球的70%，扬长避短的发展LED产业，在优势方向上积极发展，促进技术进步和生产工艺的成熟，从而推动我国半导体照明技术的整体进步，对半导体照明的时代的到来也起着至关重要的作用。

8月30日，与高工LED精品展同步举行的第八届高工LED产业高峰论坛在上海国际会议中心世纪厅举行，其中 论坛的技术版块围绕 “LED照明技术-问题与解决之道”、LED照明设计与应用工程-决胜细分领域等主题针对LED上、中、下游全产业链中的蓝宝石生产工艺、国内外LED外延芯片技术、荧光粉、检测设备、LED器件与模组、以及OLED等议题从点到面，与到会嘉宾一起分享了全面的关键技术。参会者纷纷表示是非常难得的一次的培训与提升机会。

亚威朗光电副总裁苏伟迈指出目前芯片主要分为低压直流芯片和高压直流芯片。其中，低压直流芯片包括正装结构芯片、垂直结构芯片以及3维(无金线)垂直结构芯片。高压直流芯片包括正装结构芯片。从衬底的角度看当前整个行业的技术路线，主流衬底是蓝宝石与SiC，Si衬底是未来希望所在。

芯片技术最主要的突破点就是提高LM/W & LM/$。可能突破点包括：1、大电流密度驱动芯片；2、三维垂直结构芯片；3、垂直结构高压交直流芯片；4、绿光IQE 提升(Green-Gap)；5、衬底：硅衬底、石墨衬底、GaN、AlN及其他衬底。三维垂直结构芯片的最重要的优势是没有电感效应。垂直结构高压交直流芯片的优势主要是加大电流驱动、降低芯片的成本。高压芯片会降低变压部分的成本，交流芯片可降低整流部分的成本。另外也可通过在衬底上制作图形以及将芯片外形异型化提高出光效率。