英国Plessey计划生产150lm/w的硅基氮化镓LED

英国普莱思半导体(Plessey)准备开始生产高亮度LED，制造中将采用剑桥大学所研究的一项备受关注的技术。Plessey计划在今年底前生产出白光效率为150流明/瓦的硅基氮化镓LED，其性能将可与传统的蓝宝石衬底或碳化硅衬底LED相媲美。

 现阶段尚不确定Plessey将在这个极具竞争力的高亮度LED市场推出什么样的产品，Plessey认为已加工的硅片、裸片和LED器件都有可能。现在可以确定的是，Plessey打算购入大量金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器，用于在自己的工厂大规模生产磊晶片。　

此外，硅基LED领域的竞争将会越来越激烈。Plessey指出，剑桥大学研究的这项硅基氮化镓LED技术的主要优势在于采用了一种更薄的半导体层，可以解决芯片结构中硅衬底与活性氮化镓层之间的晶格不匹配问题。

欧司朗和Azzurro通过使用相对较厚的缓冲材料，如多层氮化铝，已经解决了这个晶格不匹配问题，而剑桥研究团队能够使用一种更薄的半导体层来制造出高品质LED，这将降低总的生产成本。

Plessey表示，Plessey的GaN-on-si新工艺克服了这一挑战，其通过使用6英寸自动化处理设备而使成本降低的优势都将确保Plessey的高亮度LED照明产品在业界中的领先地位。

业界表示，向硅衬底的转移是实现低成本、高产量、高性能照明应用器件制造所必须的技术演变。但并不是所有人都同意这一观点。蓝宝石和SiC衬底LED在量产上取得的进步已经使成本大大降低，而三星、Cree、欧司朗光电半导体和Philips Lumileds等领先的LED制造商也正纷纷将生产向6英寸晶圆制造转移。

LED替代灯的成本也下降很快，这就表示Plessey将需要面临一个同样快速变化的成本目标。另外，目前的衬底技术也还有进步空间，能进一步大幅降低成本。