应材以原子级制造技术挑战电晶体极限

       应用材料宣布推出Applied CenturaR Integrated Gate Stack整合闸极堆叠系统，可在22奈米逻辑晶片中建立关键性的闸极介电质结构。

应材表示，这套系统是唯一可在单独真空环境中处理整体高介电常数（简称k值）多层堆叠的机台，因此可维持关键薄膜介面的完整性。 对最尖端的微处理器与绘图晶片而言，这项功能在电晶体速度最大化以及耗电量最小化方面极为重要。

随着逻辑晶片的制程进入22奈米及以下的节点，电晶体闸极结构的核心亦即其介电质薄膜堆叠也变得越来越薄，因此必须采行原子级的工程。 为了因应此挑战，整合闸极堆叠系统采用应用材料公司的先进原子层沉积（ALD）技术。 这项技术可建立厚度低于2奈米、以铪为基础的超薄层，约为人类发丝宽度的万分之一，每次单层，在整体晶圆上可达到极佳的均匀度。

应用材料公司集团副总裁暨金属沉积、前端及ALD产品处总经理史提夫． 甘纳言（Steve Ghanayem）表示，未来的奈米级电晶体需要极高的精密度，因为仅有几个原子厚度的薄膜将决定元件的效能。 藉由将多个连接制程步骤结合至我们的世界级Centura平台，便可简化客户的制造流程，并协助客户提高次世代逻辑晶片的良率。

应用材料公司执行副总裁暨半导体系统事业群总经理蓝迪． 尔塔克（Randhir Thakur）博士表示，进入20奈米世代时，晶片复杂度也大幅提高，最大的挑战之一是在电晶体层级，而我们也在电子产品的重要部分看到了完全翻新的设计。 客户眼见应用材料公司金属闸极堆叠解决方案的优点，都与我们合作开发介电质闸极堆叠的整合方法。 全新的Centura 整合闸极堆叠系统是应用材料公司近几个月推出的多项创新之一，这些设计都是在协助客户将先进电晶体设计从实验室转化为量产制造。

应用材料在美国旧金山举行的美西半导体设备暨材料展（Semicon West）中展示Centura整合闸极堆叠技术。