1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上，北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授做了题为《竖直结构芯片制备技术动态》的报告。
在报告中，张国义教授分析了竖直结构的优点及实现方法;深入阐述了激光剥离技术的优点、几种转移衬底方法及提高竖直结构LED性能的器件设计方案;并介绍了北京大学宽禁带半导体研究中心竖直结构技术现状、国外的技术情况及未来技术趋势。（编辑:FJ）
张国义：竖直结构芯片制备技术动态
来源：中山LED网 作者：--- 时间：2011-10-17 00:00
核心提示： 1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的半导体照明前沿关键技术培训研讨会在中国
