在ARM技术论坛的另一场专题演说中，EDA供货商Cadence Design Systems旗下Silicon Realization部门的资深研发副总裁徐季平（Chi-Ping Hsu），简报了半导体制程从32/28纳米节点过渡到22/20纳米节点的制程技术研发成本增加幅度；他举例指出，如果32/28纳米节点缩需成本是12亿美元，来到22/20纳米节点，该成本规模将增加至21至30亿美元。
至于芯片设计成本，则会从32纳米节点所需的5,000万至9,000万美元，在22纳米节点增加至1.2亿至5亿美元。徐季平并指出，在32纳米节点，芯片销售量需要达到3,000至4,000万颗，才能打平成本；但到了20纳米节点，该门坎会提高至6,000万至1亿颗。
FinFET是一种 3D晶体管技术，目前正初步获得芯片制造商的采用；大厂英特尔（Intel）则是将其3D晶体管技术称为「三闸（tri-gate）」，业界预计该公司将在今年底推出采用3D晶体管技术所生产的22纳米芯片样品。
蒋尚义表示，22纳米节点会是半导体产业采用平面晶体管技术（planar transistor）的最后一个世代：「在此之后，该技术就会功成身退。」
