高辉度4元系LED芯片技术以及是怎么做出来的？

    最近几年发光二极管(LED)的发光效率获得大幅改善，由于发光二极管具备低消费电力与长寿命特征，一般认为未来发光二极管可望成为次世代省能源照明光源。长久以来发光二极管的发展动向一直备受全球高度期待，特别是使用高发光效率INGAN系发光层的蓝光，以及使用绿光高输出LED，与4 元系ALGAINP发光层的黄光、橙光、红光的高辉度LED，顿时成为全球注目的焦点。
 
    目前这些发光效率超越传统荧光灯、白热灯泡的LED已经陆续商品化，同时还持续拓展市场规模与应用领域。接着本文要深入探讨广泛应用在各种领域的4元系ALGAINP红光LED芯片，高辉度技术与制作方法。
 
　　芯片特征
    LED芯片属于具备发光功能的二极管，它的外形尺寸大约只有0.2~1MM呈长方形。如图1(B)所示商品化LED是将LED芯片固定在封装基板与导线架上，铺设金线后再以透明树脂密封包覆。LED依照用途封装成炮弹型、正面、侧面出光表面型，以及考虑散热性的大电力用灯泡型等各种形状。

        降低发热量的最有效方法就是抑制施加电力，亦即减少LED芯片的顺向电压VF。如图1(A)所示覆晶结构是提高散热性，是抑制发光层的温度上升方法之一，基本上它是使发光层产生的高热从封装基板侧散热，由于LED芯片内部的发热，几乎都是发光层产生，因此散热特性取决于发光层到封装基板的热传导率。ALGAINP覆晶芯片则是将芯片翻转使用，它可以使发光层到封装基板的距离缩短至10ΜM以下，而且还能够以高热传导率金属连接于大面积封装基板，形成高散热性LED结构。