东芝进军功率器件 量产SiC肖特基势垒二极管

东芝进军功率器件 量产SiC肖特基势垒二极管

东芝公司日前表示，即将在兵库县姬路工厂量产SiC器件，用以满足工业和汽车应用日益增长的需求。
       东芝公司将首先量产肖特基势垒二极管器件（SBD），SBD的效率相比较传统的硅二极管开关电源提高了50%。
       另外，SiC功率器件可提供比目前的硅器件更稳定的性能，因此非常适合高电压高电流的应用，包括通信设备、工业、服务器以及汽车的逆变器等等。
分析师估计，碳化硅功率器件到2020年将增长10倍，而东芝的目标是在2020年获得30%的市场份额，达成这一任务的长远计划是通过不断的产品组合，而短期任务则是将SBD产品做好。
       新产品的反向重复峰值电压VRRM为650V，平均正向电流IFM为12A，正向电压VF为1.7V（正向电流为12A时的最大值），反向重复峰值电流IRRM为90μA（反向重复峰值电压为650V时的最大值）。TRS12E65C的量产规模预定为100万个/月。