全球第三季内存产值营收续攀升9%，三星成长表现最亮眼

        根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，虽然第三季内存价格涨幅不若上半年凌厉，但受惠于DRAM整体结构面的大幅改善，第三季全球DRAM总营收仍有9%的季成长，更持续推升DRAM供货商的获利能力；主要三大DRAM厂营业利益(operating margin) 季增长约达2%，其中差异点主要取决标准型内存的产出多寡。

         TrendForce研究协理吴雅婷表示，以两大韩系厂商为例，由于第三季标准型内存涨幅高于行动式内存，SK海力士标准型内存产出比重较大下，其营业利益来到34%，且连续两个季度超过市占第一的三星半导体。原本预估下半年DRAM价格走势将受到需求疲弱冲击，却因九月初SK海力士无锡大火影响让平均销售单价(average selling price)持续上涨，2013年DRAM总营收可望较去年大幅成长四成，产业中仅存下来的三大巨头都享受到长久未见的丰硕获利。

       从全球DRAM厂自有品牌内存市占比例来观察，三星半导体与SK海力士半导体各为37%与29%，两者差距再度被拉开，其重点在于三星半导体策略性的提高其标准型内存比重，除了想重回该领域的领导地位外，觊觎其丰硕获利亦是主因之一。长远来看，三星半导体对其内部的产能调配将会更有弹性，除了该自有三星品牌的智能型手机将会向其他供货商购买行动式内存之外，亦传出决议在Line16小幅增加DRAM产能，虽然规模仅约当每月30K，但对于转进25奈米制程所造成的良率损失也能够产生立竿见影的效果。展望未来产出计划，虽然行动式内存仍占产品组合最大部分，但标准型内存的规模也会小幅扩大，由现有的约20%成长至25%，冀望能够对价格走势产生更显著的影响。

       SK海力士方面，由于第三季标准型内存价格涨幅较上季缩小，相较于前季的40.7%的高成长，第三季成长仅约3.7%，话虽如此，SK海力士获利能力仍持续攀升，营业利益达34%，为所有厂商当中最高。但展望第四季，受到无锡厂大火影响，标准型内存产出受到严重冲击下，产品组合比重从原先的35%骤减至25%，预计三星半导体将重新夺回获利能力的龙头宝座。至今无锡产能回复状况仍不明朗下，将是牵动2014年价格走势最重要的关键因素。

       在本次第三季营收市占报告中，TrendForce首度将美光与日商尔必达合并计算，综合市占为26.2%，新美光集团与SK海力士的差异仅有2%，以月产能来看更已经稳居产业第二，寡占市场结构首度在第三季隐约成型。虽然新美光集团的主流制程较为落后(目前仍以30nm为主)，且尔必达产品平均销售单价低于同业关系，短期内对新美光集团的获利能力造成小幅冲击，但长远角度来观察，在制程逐步转进至25/20nm，及各工厂专注单一主力产品让产出效益极大化下，获利能力的爆发性不容小觑。若站在标准型内存的角度做观察，新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强，对该市场的影响力将大幅增加。

        台系厂部分，南科由于自第三季停止从华亚科取得晶圆，加上积极转进30nm制程时所造成的产能降低，以及标准型内存在南科比重已低，无法从SK海力士无锡厂火灾直接受惠下，让南科第三季营收小幅下滑8.3%。力晶则是在本季营收中大幅跃进约75%，其原因在于力晶在今年第二季的五月才重新启动P3厂内存代工业务，基期较低下才让营收有如此突出的表现，其他如代工费用的调涨及承接毛利较高的产品代工亦是营收成长主因之一。华邦则是受到第三季客户功能型手机出货逐步降低，导致小容量行动式内存销售不佳，营收小幅下滑5.2%，但随着九月SK海力士无锡火灾影响，利基型内存价格上涨将对第四季营收有正面帮助。

        从市场面来观察，TrendForce认为随着九月SK海力士无锡厂大火后，正牵动着市场三强对于第四季甚至2014年的策略规划，如三星提升DRAM的投片比重、SK海力士倾全力回复无锡厂产能，新美光集团将20nm制程列入首要达成目标，虽然DRAM产业走入寡占型态，稳定价格与获利是必然的走向，但三强间的彼此竞争仍不会停歇。